随着应用处理器（AP）性能的提升，输入/输出（I/O）端口数量也随之增加。伴随这一变化，智能手机中使用的芯片种类及形状也出现了多样化，这使得通过垂直堆叠异构封装来提升单位面积集成密度的技术需求日益增长。集成封装堆叠（I PoP） 正是在这种背景下应运而生。
I PoP 结构包括安装在印刷电路板（PCB）基板上的 AP 芯片，以及用于连接 AP 芯片与存储器的 Interposer（中介层）。中介层是 I PoP 中最关键的部件，因为它实现了 DRAM 与 AP 芯片的连接。通过使用中介层，AP 芯片与 DRAM 之间的数据传输路径被大幅缩短，从而提升速度和性能；与此同时，安装面积的缩减也为进一步的性能提升腾出了更多空间，相比传统的单芯片封装（SCP*） 具有明显优势。
随着应用处理器（AP）性能的提升，输入/输出（I/O）端口数量也随之增加。伴随这一变化，智能手机中使用的芯片种类及形状也出现了多样化，这使得通过垂直堆叠异构封装来提升单位面积集成密度的技术需求日益增长。集成封装堆叠（I PoP） 正是在这种背景下应运而生。
I PoP 结构包括安装在印刷电路板（PCB）基板上的 AP 芯片，以及用于连接 AP 芯片与存储器的 Interposer（中介层）。中介层是 I PoP 中最关键的部件，因为它实现了 DRAM 与 AP 芯片的连接。通过使用中介层，AP 芯片与 DRAM 之间的数据传输路径被大幅缩短，从而提升速度和性能；与此同时，安装面积的缩减也为进一步的性能提升腾出了更多空间，相比传统的单芯片封装（SCP*） 具有明显优势。
随着应用处理器（AP）性能的提升，输入/输出（I/O）端口数量也随之增加。伴随这一变化，智能手机中使用的芯片种类及形状也出现了多样化，这使得通过垂直堆叠异构封装来提升单位面积集成密度的技术需求日益增长。集成封装堆叠（I PoP） 正是在这种背景下应运而生。
I PoP 结构包括安装在印刷电路板（PCB）基板上的 AP 芯片，以及用于连接 AP 芯片与存储器的 Interposer（中介层）。中介层是 I PoP 中最关键的部件，因为它实现了 DRAM 与 AP 芯片的连接。通过使用中介层，AP 芯片与 DRAM 之间的数据传输路径被大幅缩短，从而提升速度和性能；与此同时，安装面积的缩减也为进一步的性能提升腾出了更多空间，相比传统的单芯片封装（SCP*） 具有明显优势。
AP 产品持续进步，丰富了智能手机用户的体验，对更薄封装的需求日益增长，同时保持性能，实现更纤薄的设计、提升手持舒适度和更长的使用时间。因此，扇出式晶圆级封装（FoWLP）技术被用于在小尺寸形态下实现性能提升。
FoWLP 的基本结构由若干要素组成。 在 AP 芯片下方形成用于电气连接的再分配层（RDL）。该 RDL 比中介层更薄，并在 AP 芯片顶部形成，创建 AP 芯片与存储器之间的电气连接。随后在上下 RDL 之间构建铜柱，以电气方式连接 AP 芯片的上下两面。
该方法利用 RDL 而不使用传统的 PCB 基板，使封装能够进一步变薄——显著有助于降低 AP 和手机的厚度，同时降低 AP 的热阻。RDL 实现了细间距布线，确保信号完整性（SI）并提升性能，是 FoWLP 最重要的组成部分之一。
AP 产品持续进步，丰富了智能手机用户的体验，对更薄封装的需求日益增长，同时保持性能，实现更纤薄的设计、提升手持舒适度和更长的使用时间。因此，扇出式晶圆级封装（FoWLP）技术被用于在小尺寸形态下实现性能提升。
FoWLP 的基本结构由若干要素组成。 在 AP 芯片下方形成用于电气连接的再分配层（RDL）。该 RDL 比中介层更薄，并在 AP 芯片顶部形成，创建 AP 芯片与存储器之间的电气连接。随后在上下 RDL 之间构建铜柱，以电气方式连接 AP 芯片的上下两面。
该方法利用 RDL 而不使用传统的 PCB 基板，使封装能够进一步变薄——显著有助于降低 AP 和手机的厚度，同时降低 AP 的热阻。RDL 实现了细间距布线，确保信号完整性（SI）并提升性能，是 FoWLP 最重要的组成部分之一。
AP 产品持续进步，丰富了智能手机用户的体验，对更薄封装的需求日益增长，同时保持性能，实现更纤薄的设计、提升手持舒适度和更长的使用时间。因此，扇出式晶圆级封装（FoWLP）技术被用于在小尺寸形态下实现性能提升。
FoWLP 的基本结构由若干要素组成。 在 AP 芯片下方形成用于电气连接的再分配层（RDL）。该 RDL 比中介层更薄，并在 AP 芯片顶部形成，创建 AP 芯片与存储器之间的电气连接。随后在上下 RDL 之间构建铜柱，以电气方式连接 AP 芯片的上下两面。
该方法利用 RDL 而不使用传统的 PCB 基板，使封装能够进一步变薄——显著有助于降低 AP 和手机的厚度，同时降低 AP 的热阻。RDL 实现了细间距布线，确保信号完整性（SI）并提升性能，是 FoWLP 最重要的组成部分之一。
移动设备在游戏和 AI 等高性能应用中的使用日益增多，这些应用会产生显著更多的热量。这进一步提升了降低热阻的需求，以便移动设备在紧凑的外形尺寸内仍能保持强大的性能。
为满足这些需求，升级版 FoWLP 通过减小阻碍散热通道的 DRAM 尺寸并附加热通道阻断块（HPB，Heat Path Block）来显著改善 AP 芯片的热阻。此外，还采用了高介电常数（High k）EMC* ，以确保热量能够有效传导至 HPB 方向。
凭借这些封装创新，三星的移动 SoC 封装技术实现了高效的外向散热，相较于以往封装，热阻优化效果最高可达16%，从而提供更佳的性能。
这些进步共同带来了更优的智能手机用户体验，例如更流畅、更一致的游戏体验，更快速的实时翻译与解释，提升的 LLM（大语言模型）性能，更快速的目标检测，增强的照片分辨率放大等。
移动设备在游戏和 AI 等高性能应用中的使用日益增多，这些应用会产生显著更多的热量。这进一步提升了降低热阻的需求，以便移动设备在紧凑的外形尺寸内仍能保持强大的性能。
为满足这些需求，升级版 FoWLP 通过减小阻碍散热通道的 DRAM 尺寸并附加热通道阻断块（HPB，Heat Path Block）来显著改善 AP 芯片的热阻。此外，还采用了高介电常数（High k）EMC* ，以确保热量能够有效传导至 HPB 方向。
凭借这些封装创新，三星的移动 SoC 封装技术实现了高效的外向散热，相较于以往封装，热阻优化效果最高可达16%，从而提供更佳的性能。
这些进步共同带来了更优的智能手机用户体验，例如更流畅、更一致的游戏体验，更快速的实时翻译与解释，提升的 LLM（大语言模型）性能，更快速的目标检测，增强的照片分辨率放大等。
移动设备在游戏和 AI 等高性能应用中的使用日益增多，这些应用会产生显著更多的热量。这进一步提升了降低热阻的需求，以便移动设备在紧凑的外形尺寸内仍能保持强大的性能。
为满足这些需求，升级版 FoWLP 通过减小阻碍散热通道的 DRAM 尺寸并附加热通道阻断块（HPB，Heat Path Block）来显著改善 AP 芯片的热阻。此外，还采用了高介电常数（High k）EMC* ，以确保热量能够有效传导至 HPB 方向。
凭借这些封装创新，三星的移动 SoC 封装技术实现了高效的外向散热，相较于以往封装，热阻优化效果最高可达16%，从而提供更佳的性能。
这些进步共同带来了更优的智能手机用户体验，例如更流畅、更一致的游戏体验，更快速的实时翻译与解释，提升的 LLM（大语言模型）性能，更快速的目标检测，增强的照片分辨率放大等。
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