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  • 超越工艺技术，
    迈向可持续未来
    超越工艺技术，
    迈向可持续未来
    超越工艺技术，
    迈向可持续未来

    绿色芯片部分的特写。

超级间隙技术
让世界变得环保 超级间隙技术让世界
变得环保 超级间隙技术
让世界变得环保

蓝色墙壁左侧的电灯开关处于关闭状态，右侧的插座电线已拔掉。

我们都在尽我们所能，通过减少使用照明和空调，或断开不使用的电子产品的电源来节约能源。这是因为，节约能源也有助于减少热能产生的碳排放，这是气候变化背后的一个驱动力。这就像三星如何制造低功耗内存芯片来减少数据中心使用的能源消耗。

我们都在尽我们所能，通过减少使用照明和空调，或断开不使用的电子产品的电源来节约能源。这是因为，节约能源也有助于减少热能产生的碳排放，这是气候变化背后的一个驱动力。这就像三星如何制造低功耗内存芯片来减少数据中心使用的能源消耗。

我们都在尽我们所能，通过减少使用照明和空调，或断开不使用的电子产品的电源来节约能源。这是因为，节约能源也有助于减少热能产生的碳排放，这是气候变化背后的一个驱动力。这就像三星如何制造低功耗内存芯片来减少数据中心使用的能源消耗。

我们的
芯片是如何制造的？ 我们的
芯片是如何制造的？ 我们的
芯片是如何制造的？

晶片（圆形半导体）沿对角线放大，顶部为蓝色，底部为绿色。

从人工智能 (AI) 到第五代移动通信技术 (5G)、物联网 (IoT) 和自动驾驶车辆，芯片正引领第四次工业革命。随着这些芯片中运用的技术更加尖端和复杂，制造芯片的工艺技术也在经历巨大发展。特别是，我们看到设备越来越小，因此芯片被设计得更小以与之匹配，这正是超精细处理技术变得如此重要的原因。

从人工智能 (AI) 到第五代移动通信技术 (5G)、物联网 (IoT) 和自动驾驶车辆，芯片正引领第四次工业革命。随着这些芯片中运用的技术更加尖端和复杂，制造芯片的工艺技术也在经历巨大发展。特别是，我们看到设备越来越小，因此芯片被设计得更小以与之匹配，这正是超精细处理技术变得如此重要的原因。

从人工智能 (AI) 到第五代移动通信技术 (5G)、物联网 (IoT) 和自动驾驶车辆，芯片正引领第四次工业革命。随着这些芯片中运用的技术更加尖端和复杂，制造芯片的工艺技术也在经历巨大发展。特别是，我们看到设备越来越小，因此芯片被设计得更小以与之匹配，这正是超精细处理技术变得如此重要的原因。

微处理是如何
创造一个新的未来
和可持续的环境？ 微处理是如何
创造一个新的未来
和可持续的环境？ 微处理是如何
创造一个新的未来
和可持续的环境？

一名身穿防护装备的人手持并查看晶圆。
三星铸造三星工厂
将想法变为现实 三星铸造三星工厂
将想法变为现实 三星铸造三星工厂
将想法变为现实
蓝光、紫光和红光以光速传播。
三星铸造三星工厂，
第四次工业革命的
标志 三星铸造三星工厂，第四次工业革命的标志 三星铸造三星工厂，
第四次工业革命的
标志

使用创新的
X-Cube 进行封装 使用创新的
X-Cube 进行封装 使用创新的
X-Cube
进行封装

系统半导体的放大图，发出蓝光，采用 3D 堆叠封装技术“X-Cube”。

三星的创新技术不仅能够制造产品，也同样可以保护环境。
我们在系统半导体上使用了立体堆叠封装技术
X-Cube。X-Cube 允许您将多个晶圆垂直堆叠到
单个芯片中，这样就您可以在减小芯片整体尺寸的同时安装

大容量存储解决方案。

 

这使得客户在设计上拥有更大的自由度，并且显著提高了数

据处理速度和能源效率，提高了性能并降低了
能源对环境的影响。除 X-Cube，我们继续创新发展，创造
可持续的环境。通过支持一切，从 AI 和 5G 到 IoT 和
自动驾驶车辆，我们正在推动第四次工业革命。

三星的创新技术不仅能够制造产品，也同样可以保护环境。 我们在系统半导体上使用了立体堆叠封装技术 X-Cube。X-Cube 允许您将多个晶圆垂直堆叠到单个芯片中，这样就您可以在减小芯片整体尺寸的同时安装大容量存储解决方案。

 

这使得客户在设计上拥有更大的自由度，并且显著提高了数据处理速度和能源效率，提高了性能并降低了能源对环境的影响。除 X-Cube，我们继续创新发展，创造可持续的环境。通过支持一切，从 AI 和 5G 到 IoT 和自动驾驶车辆，我们正在推动第四次工业革命。

三星的创新技术不仅能够制造产品，也同样可以保护环境。 我们在系统半导体上使用了立体堆叠封装技术 X-Cube。X-Cube 允许您将多个晶圆垂直堆叠到单个芯片中，这样就您可以在减小芯片整体尺寸的同时安装大容量存储解决方案。

 

这使得客户在设计上拥有更大的自由度，并且显著提高了数据处理速度和能源效率，提高了性能并降低了能源对环境的影响。除 X-Cube，我们继续创新发展，创造可持续的环境。通过支持一切，从 AI 和 5G 到 IoT 和自动驾驶车辆，我们正在推动第四次工业革命。

3 纳米 GAA (MBCFET®)
让我们从二维
(2D) 到三维 (3D) 3 纳米 GAA (MBCFET®)
让我们从二维
(2D) 到三维 (3D) 3 纳米 GAA (MBCFET®)
让我们从二维 (2D)
到三维 (3D)

3D model of Planar Structure and 3D Structure FinFET. Planar structure consists of Substrate, insulator, and gate with a channel going from source to the drain. 3D structure FinFET has the gate surrounding the channel on three sides.

平面结构

3D 结构，
FinFET

3D model of Planar Structure and 3D Structure FinFET. Planar structure consists of Substrate, insulator, and gate with a channel going from source to the drain. 3D structure FinFET has the gate surrounding the channel on three sides.

平面结构

3D 结构，
FinFET

3D model of Planar Structure and 3D Structure FinFET. Planar structure consists of Substrate, insulator, and gate with a channel going from source to the drain. 3D structure FinFET has the gate surrounding the channel on three sides.

平面结构

3D 结构，
FinFET

芯片由多个晶体管组成，这些晶体管是可以放大电流或用作控制它的开关的电子组件。GAA（全环绕栅极）是一种类型的晶体管。

 

当向栅极施加电压时，电流从源极流到漏极流过沟道。在平面或 2D 结构中，其主要限制是晶体管的栅极和沟道连接在一侧。如果尝试缩小晶体管的尺寸以制造小巧的低功耗芯片，则源极和漏极之间的距离会变得太近，而栅极则无法工作。降低工作电压也受到限制，例如短通道中的泄漏电流。

 

为改善这一情况，我们开发了 FinFET，一种带 3D 结构的晶体管。它以鳍的结构形状命名，这就是它也被称为鳍式场效应晶体管的原因。我们的制造想法是这样的：随着栅极和通道连接的一面变宽，它的效率会提升。 FinFET 具有 3D 结构，FinFET 将两者相交的面积增加到三个边，从而提高了芯片性能。但我们发现 FinFET 也有一个限制——在超过 4nm 的过程中，它无法降低工作电压。

芯片由多个晶体管组成，这些晶体管是可以放大电流或用作控制它的开关的电子组件。GAA（全环绕栅极）是一种类型的晶体管。

 

当向栅极施加电压时，电流从源极流到漏极流过沟道。在平面或 2D 结构中，其主要限制是晶体管的栅极和沟道连接在一侧。如果尝试缩小晶体管的尺寸以制造小巧的低功耗芯片，则源极和漏极之间的距离会变得太近，而栅极则无法工作。降低工作电压也受到限制，例如短通道中的泄漏电流。

 

为改善这一情况，我们开发了 FinFET，一种带 3D 结构的晶体管。它以鳍的结构形状命名，这就是它也被称为鳍式场效应晶体管的原因。我们的制造想法是这样的：随着栅极和通道连接的一面变宽，它的效率会提升。 FinFET 具有 3D 结构，FinFET 将两者相交的面积增加到三个边，从而提高了芯片性能。但我们发现 FinFET 也有一个限制——在超过 4nm 的过程中，它无法降低工作电压。

芯片由多个晶体管组成，这些晶体管是可以放大电流或用作控制它的开关的电子组件。GAA（全环绕栅极）是一种类型的晶体管。

 

当向栅极施加电压时，电流从源极流到漏极流过沟道。在平面或 2D 结构中，其主要限制是晶体管的栅极和沟道连接在一侧。如果尝试缩小晶体管的尺寸以制造小巧的低功耗芯片，则源极和漏极之间的距离会变得太近，而栅极则无法工作。降低工作电压也受到限制，例如短通道中的泄漏电流。

 

为改善这一情况，我们开发了 FinFET，一种带 3D 结构的晶体管。它以鳍的结构形状命名，这就是它也被称为鳍式场效应晶体管的原因。我们的制造想法是这样的：随着栅极和通道连接的一面变宽，它的效率会提升。 FinFET 具有 3D 结构，FinFET 将两者相交的面积增加到三个边，从而提高了芯片性能。但我们发现 FinFET 也有一个限制——在超过 4nm 的过程中，它无法降低工作电压。

我们引进了下一代 3 纳米 GAA，
以进一步降低超细电路的
运行电压 我们引进了下一代 3 纳米 GAA，
以进一步降低超细电路的
运行电压 我们引进了下一代 3 纳米 GAA，以进一步降低超细电路的运行电压

在 3 纳米以下的超精细电路中使用 GAA 晶体管时，栅极环绕通道的全部四个侧面，从而可以更好地控制电流。 正因如此，我们能够实现更高能效。

在 3 纳米以下的超精细电路中使用 GAA 晶体管时，栅极环绕通道的全部四个侧面，从而可以更好地控制电流。 正因如此，我们能够实现更高能效。

在 3 纳米以下的超精细电路中使用 GAA 晶体管时，栅极环绕通道的全部四个侧面，从而可以更好地控制电流。 正因如此，我们能够实现更高能效。

3D models of Planar FET, FinFET, MBCFET™ (Nanosheet) and GAAFET (Nanowire) transistors.

平面 FET

MBCFET™（纳米片）

FinFET

GAAFET
（纳米线）

通过我们独特的
GAA 技术多桥沟道
FET (MBCFET™)，
您可以获得更高能效 通过我们独特的
GAA 技术多桥沟道
FET (MBCFET™)，
您可以获得更高能效 通过我们独特的
GAA 技术多桥沟道
FET (MBCFET™)，
您可以获得更高能效

在直径为 1nm 的细导线通道上保持足够的电流是困难而复杂的，因此我们的 MBCFET™ 通过长而薄的纳米表层使此过程更加容易，以提高性能和能效。

 

对比7纳米鳍式场效应晶体管（FinFET）可减少35%逻辑（芯片面积）空间，节省50%能耗，并得到约30%性能提升效果。

在直径为 1nm 的细导线通道上保持足够的电流是困难而复杂的，因此我们的 MBCFET™ 通过长而薄的纳米表层使此过程更加容易，以提高性能和能效。

 

对比7纳米鳍式场效应晶体管（FinFET）可减少35%逻辑（芯片面积）空间，节省50%能耗，并得到约30%性能提升效果。

在直径为 1nm 的细导线通道上保持足够的电流是困难而复杂的，因此我们的 MBCFET™ 通过长而薄的纳米表层使此过程更加容易，以提高性能和能效。

 

对比7纳米鳍式场效应晶体管（FinFET）可减少35%逻辑（芯片面积）空间，节省50%能耗，并得到约30%性能提升效果。

Battery and data center with arrows pointing up, and a semiconductor with arrows point down.

35%
逻辑区域减少

50%
功耗降低

30%
性能提升

第四次工业革命
以降低能耗和
碳排放的技术开始。 第四次工业革命
以降低能耗和
碳排放的技术开始。 第四次工业革命
以降低能耗和
碳排放的技术开始。

蓝天透过树木之间的建筑玻璃窗倒映出来。

为了保护地球，下一代人工智能、大数据、自动驾驶汽车和 IoT 的高性能芯片必须使用低功耗技术。 三星代工厂目前仍在全力以赴突破技术极限，提升低功耗和环保半导体的工艺竞争力。

为了保护地球，下一代人工智能、大数据、自动驾驶汽车和 IoT 的高性能芯片必须使用低功耗技术。 三星代工厂目前仍在全力以赴突破技术极限，提升低功耗和环保半导体的工艺竞争力。

为了保护地球，下一代人工智能、大数据、自动驾驶汽车和 IoT 的高性能芯片必须使用低功耗技术。 三星代工厂目前仍在全力以赴突破技术极限，提升低功耗和环保半导体的工艺竞争力。

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