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  • 以制程技术突破，
    迈向可持续未来
    以制程技术突破，
    迈向可持续未来
    以制程技术突破，
    迈向可持续未来

    绿色芯片部分的特写。
超间隙技术，
让世界焕发绿色生机 超间隙技术，
让世界焕发绿色生机 超间隙技术，
让世界焕发绿色生机
蓝色墙壁左侧的电灯开关处于关闭状态，右侧的插座电线已拔掉。

我们每个人都在尽己所能节约能源——比如减少灯光和空调使用，或是拔掉闲置电器的插头。这是因为节约能源同样有助于减少火力发电产生的碳排放，而碳排放正是气候变化的关键推手。这就如同三星研发低功耗存储芯片，以降低数据中心能耗的举措一样，都是在为环保贡献力量。

我们每个人都在尽己所能节约能源——比如减少灯光和空调使用，或是拔掉闲置电器的插头。这是因为节约能源同样有助于减少火力发电产生的碳排放，而碳排放正是气候变化的关键推手。这就如同三星研发低功耗存储芯片，以降低数据中心能耗的举措一样，都是在为环保贡献力量。

我们每个人都在尽己所能节约能源——比如减少灯光和空调使用，或是拔掉闲置电器的插头。这是因为节约能源同样有助于减少火力发电产生的碳排放，而碳排放正是气候变化的关键推手。这就如同三星研发低功耗存储芯片，以降低数据中心能耗的举措一样，都是在为环保贡献力量。

我们的
芯片是如何制造的？ 我们的
芯片是如何制造的？ 我们的
芯片是如何制造的？

晶片（圆形半导体）沿对角线放大，顶部为蓝色，底部为绿色。

从AI、5G通信，到物联网（IoT）与自动驾驶汽车，芯片正引领着第四次工业革命。随着芯片内置技术愈发先进复杂，用于制造芯片的制程技术也在经历巨大变革。尤其是如今设备体积不断缩小，芯片设计也需随之变得更小巧，这也正是超精细制程技术至关重要的原因所在。

从AI、5G通信，到物联网（IoT）与自动驾驶汽车，芯片正引领着第四次工业革命。随着芯片内置技术愈发先进复杂，用于制造芯片的制程技术也在经历巨大变革。尤其是如今设备体积不断缩小，芯片设计也需随之变得更小巧，这也正是超精细制程技术至关重要的原因所在。

从AI、5G通信，到物联网（IoT）与自动驾驶汽车，芯片正引领着第四次工业革命。随着芯片内置技术愈发先进复杂，用于制造芯片的制程技术也在经历巨大变革。尤其是如今设备体积不断缩小，芯片设计也需随之变得更小巧，这也正是超精细制程技术至关重要的原因所在。

微缩制程如何开创全新未来， 微缩制程如何开创全新未来， 微缩制程如何
开创全新未来，
并构筑可持续发展的环境？ 并构筑可持续发展的环境？ 并构筑
可持续发展的环境？
一名身穿防护装备的人手持并查看晶圆。
三星晶圆代工，
将构想变为现实 三星晶圆代工，
将构想变为现实 三星晶圆代工，
将构想变为现实
蓝光、紫光和红光以光速传播。
三星晶圆代工——
第四次工业革命的
标杆 三星晶圆代工——第四次工业革命的标杆 三星晶圆代工——
第四次工业革命的
标杆
借助创新的
X-Cube封装技术 借助创新的
X-Cube封装技术 借助创新的
X-Cube
封装技术
系统半导体的放大图，发出蓝光，采用 3D 堆叠封装技术“X-Cube”。

三星的创新技术不仅旨在打造优质产品，更致力于助力环保。
我们在行业内首次将3D堆叠封装技术X-Cube应用于系统半导体。
通过X-Cube技术，可将多片晶圆垂直堆叠为单颗芯片，
从而在实现高容量存储解决方案的同时，缩小芯片整体尺寸。

这一技术为客户提供了更灵活的设计空间，同时大幅提升了数据处理速度与能效——在优化性能的同时，降低了能源对环境的影响。除X-Cube外，我们还在持续创新与突破，为构建可持续发展环境不懈努力。从AI、5G通信，到物联网（IoT）与自动驾驶汽车，我们正通过为所有这些领域提供支持，引领第四次工业革命。

三星的创新技术不仅旨在打造优质产品，更致力于助力环保。我们在行业内首次将3D堆叠封装技术X-Cube应用于系统半导体。通过X-Cube技术，可将多片晶圆垂直堆叠为单颗芯片，从而在实现高容量存储解决方案的同时，缩小芯片整体尺寸。

这一技术为客户提供了更灵活的设计空间，同时大幅提升了数据处理速度与能效——在优化性能的同时，降低了能源对环境的影响。除X-Cube外，我们还在持续创新与突破，为构建可持续发展环境不懈努力。从AI、5G通信，到物联网（IoT）与自动驾驶汽车，我们正通过为所有这些领域提供支持，引领第四次工业革命。

三星的创新技术不仅旨在打造优质产品，更致力于助力环保。我们在行业内首次将3D堆叠封装技术X-Cube应用于系统半导体。通过X-Cube技术，可将多片晶圆垂直堆叠为单颗芯片，从而在实现高容量存储解决方案的同时，缩小芯片整体尺寸。

这一技术为客户提供了更灵活的设计空间，同时大幅提升了数据处理速度与能效——在优化性能的同时，降低了能源对环境的影响。除X-Cube外，我们还在持续创新与突破，为构建可持续发展环境不懈努力。从AI、5G通信，到物联网（IoT）与自动驾驶汽车，我们正通过为所有这些领域提供支持，引领第四次工业革命。

3nm GAA（MBCFET®）
引领芯片从2D
平面迈向3D立体时代 3nm GAA（MBCFET®）
引领芯片从2D
平面迈向3D立体时代 3nm GAA（MBCFET®）
引领芯片从2D
平面迈向3D立体时代
3D model of Planar Structure and 3D Structure FinFET. Planar structure consists of Substrate, insulator, and gate with a channel going from source to the drain. 3D structure FinFET has the gate surrounding the channel on three sides.

平面结构

3D立体结构：
FinFET

3D model of Planar Structure and 3D Structure FinFET. Planar structure consists of Substrate, insulator, and gate with a channel going from source to the drain. 3D structure FinFET has the gate surrounding the channel on three sides.

平面结构

3D立体结构：
FinFET

3D model of Planar Structure and 3D Structure FinFET. Planar structure consists of Substrate, insulator, and gate with a channel going from source to the drain. 3D structure FinFET has the gate surrounding the channel on three sides.

平面结构

3D立体
结构：FinFET

芯片由多个晶体管构成。晶体管是一种电子元件，既可放大电流，也可作为开关控制电流。全环绕栅极（GAA）是晶体管的一种类型。

当向栅极施加电压时，电流会从源极经沟道流向漏极。在平面（2D）结构中，晶体管的核心局限在于栅极与沟道仅单侧连接。若想缩小晶体管尺寸以打造小型低功耗芯片，源极与漏极的间距会变得过近，导致栅极无法正常工作；同时，在降低工作电压方面也存在局限（例如会出现短沟道漏电流问题）。

为改善这一问题，我们研发出具有3D立体结构的鳍式场效应晶体管（FinFET）。其名称源于自身“鳍状”的结构形态，因此也被称为“鳍式晶体管”。该技术的设计理念是：栅极与沟道的连接面越宽，晶体管效率越高。凭借3D结构，FinFET将两者的连接面扩展至三个侧面，从而提升了芯片性能。但我们发现，FinFET也存在局限——在4纳米及以下制程中，无法进一步降低工作电压。

芯片由多个晶体管构成。晶体管是一种电子元件，既可放大电流，也可作为开关控制电流。全环绕栅极（GAA）是晶体管的一种类型。

当向栅极施加电压时，电流会从源极经沟道流向漏极。在平面（2D）结构中，晶体管的核心局限在于栅极与沟道仅单侧连接。若想缩小晶体管尺寸以打造小型低功耗芯片，源极与漏极的间距会变得过近，导致栅极无法正常工作；同时，在降低工作电压方面也存在局限（例如会出现短沟道漏电流问题）。

为改善这一问题，我们研发出具有3D立体结构的鳍式场效应晶体管（FinFET）。其名称源于自身“鳍状”的结构形态，因此也被称为“鳍式晶体管”。该技术的设计理念是：栅极与沟道的连接面越宽，晶体管效率越高。凭借3D结构，FinFET将两者的连接面扩展至三个侧面，从而提升了芯片性能。但我们发现，FinFET也存在局限——在4纳米及以下制程中，无法进一步降低工作电压。

芯片由多个晶体管构成。晶体管是一种电子元件，既可放大电流，也可作为开关控制电流。全环绕栅极（GAA）是晶体管的一种类型。

当向栅极施加电压时，电流会从源极经沟道流向漏极。在平面（2D）结构中，晶体管的核心局限在于栅极与沟道仅单侧连接。若想缩小晶体管尺寸以打造小型低功耗芯片，源极与漏极的间距会变得过近，导致栅极无法正常工作；同时，在降低工作电压方面也存在局限（例如会出现短沟道漏电流问题）。

为改善这一问题，我们研发出具有3D立体结构的鳍式场效应晶体管（FinFET）。其名称源于自身“鳍状”的结构形态，因此也被称为“鳍式晶体管”。该技术的设计理念是：栅极与沟道的连接面越宽，晶体管效率越高。凭借3D结构，FinFET将两者的连接面扩展至三个侧面，从而提升了芯片性能。但我们发现，FinFET也存在局限——在4纳米及以下制程中，无法进一步降低工作电压。

为此，我们推出新一代3纳米
全环绕栅极（GAA）技术，
以进一步降低超精细电路的工作电压。 为此，我们推出新一代3纳米
全环绕栅极（GAA）技术，
以进一步降低超精细电路的工作电压。 为此，我们推出新一代3纳米全环绕栅极（GAA）技术，以进一步降低超精细电路的工作电压。

在3纳米及以下超精细电路中，全环绕栅极（GAA）晶体管的栅极会从四个侧面完全包裹沟道，从而更精准地控制电流。这也是我们能够实现更高能效的关键所在。

在3纳米及以下超精细电路中，全环绕栅极（GAA）晶体管的栅极会从四个侧面完全包裹沟道，从而更精准地控制电流。这也是我们能够实现更高能效的关键所在。

在3纳米及以下超精细电路中，全环绕栅极（GAA）晶体管的栅极会从四个侧面完全包裹沟道，从而更精准地控制电流。这也是我们能够实现更高能效的关键所在。

3D models of Planar FET, FinFET, MBCFET™ (Nanosheet) and GAAFET (Nanowire) transistors.

平面场效应晶体管

多桥-通道场效
应晶体管
（MBCFET™）（纳米片结构）

鳍式场效应晶体管
（FinFET）

全环绕栅极场效
应晶体管
（GAAFET）
（纳米线结构）

凭借我们独特的全环绕栅极（GAA）技术——
多桥-通道场效应晶体管（MBCFET™），
可实现更高能效。 凭借我们独特的全环绕栅极（GAA）技术——
多桥-通道场效应晶体管（MBCFET™），
可实现更高能效。 凭借我们独特的全环绕栅极（GAA）技术——
多桥-通道场效应晶体管（MBCFET™），可实现更高能效。

对于直径仅1纳米的细导线沟道而言，要维持足够的电流难度大、复杂度高。而我们的MBCFET™技术通过多层细长纳米片结构，简化了这一过程，从而提升了芯片性能与能效。

与7纳米鳍式场效应晶体管（FinFET）相比，我们的MBCFET™技术使芯片逻辑区域面积减少35%，能耗降低约50%，性能提升约30%。

对于直径仅1纳米的细导线沟道而言，要维持足够的电流难度大、复杂度高。而我们的MBCFET™技术通过多层细长纳米片结构，简化了这一过程，从而提升了芯片性能与能效。

与7纳米鳍式场效应晶体管（FinFET）相比，我们的MBCFET™技术使芯片逻辑区域面积减少35%，能耗降低约50%，性能提升约30%。

对于直径仅1纳米的细导线沟道而言，要维持足够的电流难度大、复杂度高。而我们的MBCFET™技术通过多层细长纳米片结构，简化了这一过程，从而提升了芯片性能与能效。

与7纳米鳍式场效应晶体管（FinFET）相比，我们的MBCFET™技术使芯片逻辑区域面积减少35%，能耗降低约50%，性能提升约30%。

Battery and data center with arrows pointing up, and a semiconductor with arrows point down.

35%
逻辑区域
面积减少

50%
能耗降低

30%
性能提升

第四次工业革命，始于
节能减排的技术创新。 第四次工业革命，始于
节能减排的技术创新。 第四次工业革命，始于节能减排的技术创新。

蓝天透过树木之间的建筑玻璃窗倒映出来。

面向AI、大数据、自动驾驶汽车与物联网（IoT）的新一代高性能芯片，必须采用低功耗技术——这一切都是为了守护我们的地球。我们正全力以赴突破技术局限，提升低功耗半导体的制程竞争力。

面向AI、大数据、自动驾驶汽车与物联网（IoT）的新一代高性能芯片，必须采用低功耗技术——这一切都是为了守护我们的地球。我们正全力以赴突破技术局限，提升低功耗半导体的制程竞争力。

面向AI、大数据、自动驾驶汽车与物联网（IoT）的新一代高性能芯片，必须采用低功耗技术——这一切都是为了守护我们的地球。我们正全力以赴突破技术局限，提升低功耗半导体的制程竞争力。

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