我们每个人都在尽己所能节约能源——比如减少灯光和空调使用，或是拔掉闲置电器的插头。这是因为节约能源同样有助于减少火力发电产生的碳排放，而碳排放正是气候变化的关键推手。这就如同三星研发低功耗存储芯片，以降低数据中心能耗的举措一样，都是在为环保贡献力量。
我们每个人都在尽己所能节约能源——比如减少灯光和空调使用，或是拔掉闲置电器的插头。这是因为节约能源同样有助于减少火力发电产生的碳排放，而碳排放正是气候变化的关键推手。这就如同三星研发低功耗存储芯片，以降低数据中心能耗的举措一样，都是在为环保贡献力量。
我们每个人都在尽己所能节约能源——比如减少灯光和空调使用，或是拔掉闲置电器的插头。这是因为节约能源同样有助于减少火力发电产生的碳排放，而碳排放正是气候变化的关键推手。这就如同三星研发低功耗存储芯片，以降低数据中心能耗的举措一样，都是在为环保贡献力量。
从AI、5G通信，到物联网（IoT）与自动驾驶汽车，芯片正引领着第四次工业革命。随着芯片内置技术愈发先进复杂，用于制造芯片的制程技术也在经历巨大变革。尤其是如今设备体积不断缩小，芯片设计也需随之变得更小巧，这也正是超精细制程技术至关重要的原因所在。
从AI、5G通信，到物联网（IoT）与自动驾驶汽车，芯片正引领着第四次工业革命。随着芯片内置技术愈发先进复杂，用于制造芯片的制程技术也在经历巨大变革。尤其是如今设备体积不断缩小，芯片设计也需随之变得更小巧，这也正是超精细制程技术至关重要的原因所在。
从AI、5G通信，到物联网（IoT）与自动驾驶汽车，芯片正引领着第四次工业革命。随着芯片内置技术愈发先进复杂，用于制造芯片的制程技术也在经历巨大变革。尤其是如今设备体积不断缩小，芯片设计也需随之变得更小巧，这也正是超精细制程技术至关重要的原因所在。
三星的创新技术不仅旨在打造优质产品，更致力于助力环保。
我们在行业内首次将3D堆叠封装技术X-Cube应用于系统半导体。
通过X-Cube技术，可将多片晶圆垂直堆叠为单颗芯片，
从而在实现高容量存储解决方案的同时，缩小芯片整体尺寸。
这一技术为客户提供了更灵活的设计空间，同时大幅提升了数据处理速度与能效——在优化性能的同时，降低了能源对环境的影响。除X-Cube外，我们还在持续创新与突破，为构建可持续发展环境不懈努力。从AI、5G通信，到物联网（IoT）与自动驾驶汽车，我们正通过为所有这些领域提供支持，引领第四次工业革命。
三星的创新技术不仅旨在打造优质产品，更致力于助力环保。我们在行业内首次将3D堆叠封装技术X-Cube应用于系统半导体。通过X-Cube技术，可将多片晶圆垂直堆叠为单颗芯片，从而在实现高容量存储解决方案的同时，缩小芯片整体尺寸。
这一技术为客户提供了更灵活的设计空间，同时大幅提升了数据处理速度与能效——在优化性能的同时，降低了能源对环境的影响。除X-Cube外，我们还在持续创新与突破，为构建可持续发展环境不懈努力。从AI、5G通信，到物联网（IoT）与自动驾驶汽车，我们正通过为所有这些领域提供支持，引领第四次工业革命。
三星的创新技术不仅旨在打造优质产品，更致力于助力环保。我们在行业内首次将3D堆叠封装技术X-Cube应用于系统半导体。通过X-Cube技术，可将多片晶圆垂直堆叠为单颗芯片，从而在实现高容量存储解决方案的同时，缩小芯片整体尺寸。
这一技术为客户提供了更灵活的设计空间，同时大幅提升了数据处理速度与能效——在优化性能的同时，降低了能源对环境的影响。除X-Cube外，我们还在持续创新与突破，为构建可持续发展环境不懈努力。从AI、5G通信，到物联网（IoT）与自动驾驶汽车，我们正通过为所有这些领域提供支持，引领第四次工业革命。
平面结构
3D立体结构：
FinFET
平面结构
3D立体结构：
FinFET
平面结构
3D立体
结构：FinFET
芯片由多个晶体管构成。晶体管是一种电子元件，既可放大电流，也可作为开关控制电流。全环绕栅极（GAA）是晶体管的一种类型。
当向栅极施加电压时，电流会从源极经沟道流向漏极。在平面（2D）结构中，晶体管的核心局限在于栅极与沟道仅单侧连接。若想缩小晶体管尺寸以打造小型低功耗芯片，源极与漏极的间距会变得过近，导致栅极无法正常工作；同时，在降低工作电压方面也存在局限（例如会出现短沟道漏电流问题）。
为改善这一问题，我们研发出具有3D立体结构的鳍式场效应晶体管（FinFET）。其名称源于自身“鳍状”的结构形态，因此也被称为“鳍式晶体管”。该技术的设计理念是：栅极与沟道的连接面越宽，晶体管效率越高。凭借3D结构，FinFET将两者的连接面扩展至三个侧面，从而提升了芯片性能。但我们发现，FinFET也存在局限——在4纳米及以下制程中，无法进一步降低工作电压。
芯片由多个晶体管构成。晶体管是一种电子元件，既可放大电流，也可作为开关控制电流。全环绕栅极（GAA）是晶体管的一种类型。
当向栅极施加电压时，电流会从源极经沟道流向漏极。在平面（2D）结构中，晶体管的核心局限在于栅极与沟道仅单侧连接。若想缩小晶体管尺寸以打造小型低功耗芯片，源极与漏极的间距会变得过近，导致栅极无法正常工作；同时，在降低工作电压方面也存在局限（例如会出现短沟道漏电流问题）。
为改善这一问题，我们研发出具有3D立体结构的鳍式场效应晶体管（FinFET）。其名称源于自身“鳍状”的结构形态，因此也被称为“鳍式晶体管”。该技术的设计理念是：栅极与沟道的连接面越宽，晶体管效率越高。凭借3D结构，FinFET将两者的连接面扩展至三个侧面，从而提升了芯片性能。但我们发现，FinFET也存在局限——在4纳米及以下制程中，无法进一步降低工作电压。
芯片由多个晶体管构成。晶体管是一种电子元件，既可放大电流，也可作为开关控制电流。全环绕栅极（GAA）是晶体管的一种类型。
当向栅极施加电压时，电流会从源极经沟道流向漏极。在平面（2D）结构中，晶体管的核心局限在于栅极与沟道仅单侧连接。若想缩小晶体管尺寸以打造小型低功耗芯片，源极与漏极的间距会变得过近，导致栅极无法正常工作；同时，在降低工作电压方面也存在局限（例如会出现短沟道漏电流问题）。
为改善这一问题，我们研发出具有3D立体结构的鳍式场效应晶体管（FinFET）。其名称源于自身“鳍状”的结构形态，因此也被称为“鳍式晶体管”。该技术的设计理念是：栅极与沟道的连接面越宽，晶体管效率越高。凭借3D结构，FinFET将两者的连接面扩展至三个侧面，从而提升了芯片性能。但我们发现，FinFET也存在局限——在4纳米及以下制程中，无法进一步降低工作电压。
在3纳米及以下超精细电路中，全环绕栅极（GAA）晶体管的栅极会从四个侧面完全包裹沟道，从而更精准地控制电流。这也是我们能够实现更高能效的关键所在。
在3纳米及以下超精细电路中，全环绕栅极（GAA）晶体管的栅极会从四个侧面完全包裹沟道，从而更精准地控制电流。这也是我们能够实现更高能效的关键所在。
在3纳米及以下超精细电路中，全环绕栅极（GAA）晶体管的栅极会从四个侧面完全包裹沟道，从而更精准地控制电流。这也是我们能够实现更高能效的关键所在。
平面场效应晶体管
多桥-通道场效
应晶体管
（MBCFET™）（纳米片结构）
鳍式场效应晶体管
（FinFET）
全环绕栅极场效
应晶体管
（GAAFET）
（纳米线结构）
对于直径仅1纳米的细导线沟道而言，要维持足够的电流难度大、复杂度高。而我们的MBCFET™技术通过多层细长纳米片结构，简化了这一过程，从而提升了芯片性能与能效。
与7纳米鳍式场效应晶体管（FinFET）相比，我们的MBCFET™技术使芯片逻辑区域面积减少35%，能耗降低约50%，性能提升约30%。
对于直径仅1纳米的细导线沟道而言，要维持足够的电流难度大、复杂度高。而我们的MBCFET™技术通过多层细长纳米片结构，简化了这一过程，从而提升了芯片性能与能效。
与7纳米鳍式场效应晶体管（FinFET）相比，我们的MBCFET™技术使芯片逻辑区域面积减少35%，能耗降低约50%，性能提升约30%。
对于直径仅1纳米的细导线沟道而言，要维持足够的电流难度大、复杂度高。而我们的MBCFET™技术通过多层细长纳米片结构，简化了这一过程，从而提升了芯片性能与能效。
与7纳米鳍式场效应晶体管（FinFET）相比，我们的MBCFET™技术使芯片逻辑区域面积减少35%，能耗降低约50%，性能提升约30%。
35%
逻辑区域
面积减少
50%
能耗降低
30%
性能提升
面向AI、大数据、自动驾驶汽车与物联网（IoT）的新一代高性能芯片，必须采用低功耗技术——这一切都是为了守护我们的地球。我们正全力以赴突破技术局限，提升低功耗半导体的制程竞争力。
面向AI、大数据、自动驾驶汽车与物联网（IoT）的新一代高性能芯片，必须采用低功耗技术——这一切都是为了守护我们的地球。我们正全力以赴突破技术局限，提升低功耗半导体的制程竞争力。
面向AI、大数据、自动驾驶汽车与物联网（IoT）的新一代高性能芯片，必须采用低功耗技术——这一切都是为了守护我们的地球。我们正全力以赴突破技术局限，提升低功耗半导体的制程竞争力。
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