铝是具有代表性的半导体用金属配线材料,是因 为它可加工性强,与氧化膜(二氧化硅, Silicon Dixide)的粘附性好。
但是,当铝(Ai)与硅(Si)相遇时,会相互混合。因 此,对于硅晶圆来说,在铝接线过程中会出现接 合面被破坏的现象。为了防止这种情况的发生, 在铝和晶圓接合面之间进行沉积,增加起到阻挡 (Barrier)作用的金属,称为阻挡金属(Barrier Metal)。这样形成双层薄膜后,可以防止接合面被破坏。
金属布线也是通过沉积完成的。将金属放入真空 室(Chamber)中,在低压下煮沸或电击时,金属 就会变成蒸气状态。这时,将晶圆放入真空室中,就会形成金属薄膜。
日益精细化的半导体工艺,通过不懈的研发,不断发生着变化。在金属布线工艺中,也正向化学 气相沉积(CVD)过渡。
中国