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NAND闪存类型

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我们探寻过HDD与SSD之间的区别。本文将带大家一起了解一种非易失性存储器“NAND闪存”。 NAND闪存在SSD的数据存储中发挥着关键作用！让我们来看看NAND闪存都有哪些类型，并通过类比来了解每种类型的特点。 单元格：数据栖息的工作室
데이터와 셀의 상관관계
데이터와 셀의 상관관계
了解NAND闪存的类型及其特点之前，要先了解我们存储的数据以及存储这些数据的空间，即单元格（cell）。简言之，如果数据是“一个人”，那么单元格则是“半导体内的一个小房间”。这种情况下，存储数据就像人搬进这些称为单元格的小房间当中。那么如何读取存储的数据呢？读取数据就像统计半导体内部小房间里的人数。小房间里的居民越多，清点人数需要的时间越长，读取数据的过程所需的时间越长。 通过类比了解NAND闪存的类型 接下来，我们来一起了解一下NAND闪存的类型。根据不同的数据存储方式，NAND闪存可以分为4种类型：单层单元（SLCs）、多层单元（MLCs）、三层单元（TLCs）和四层单元（QLCs）。
SLC와 MLC의 차이
SLC와 MLC의 차이
第一种单层单元（SLC），顾名思义是单个数据以“1”或“0”的形式存储在单个单元格中。由于该数据占用了整个房间，因此租金（或价格）很高。也就是说，在SLC闪存中，“计算人数”过程花费的时间最少。而在多层单元（MLC）中，一个隔断被放置在最初只有一个人居住的房间中。现在房间里居住者两个人。两个数据以“00，01，10，11”等形式存储在一个单元格中。由于房间较小，所以MLC比SLC更便宜，但数据处理速度比SLC更慢。
TLC와 QLC의 차이
TLC와 QLC의 차이
三层单元（TLC）则是一个单元格存储3个数据，而四层单元（QLC）是在一个单元格存储4个数据。三层单元和四层单元能够存储大量数据，但是由于每个单元格中存储的数据较多，所以对比单层单元或多层单元，数据处理速度相对较慢。那么，这里有一个问题：这是否意味着速度最快的单层单元就是性能最好的NAND闪存？当然不是。这是因为不同的用户使用SSD的目的不同。单层单元速度很快，但是增加每个单元格的数据存储容量既困难而且价格昂贵。理论上，四层单元的价格是单层单元的四分之一，因为它能将一个单元格（存储一个比特数据）分成四个单元。因此，如果您正在寻找超高性能SSD，单层单元和多层单元NAND闪存SSD是您的最佳选择。但是，如果您追求经济实用，那么三层单元和四层单元是最佳选择。 V-NAND：减少干扰的高层住宅 三星电子从2013年开始量产新型NAND闪存“3D V-NAND”。那么，V-NAND是什么，我们又为什么需要发展它？与其他类型的NAND闪存一样，将3D V-NAND中的数据视为“人”，将单元格视为这些人居住的“房间”。
V낸드플래시의 개념 설명
V낸드플래시의 개념 설명
当我们尝试在有限的土地上容纳尽可能多的人时，房屋需要建得更小且距离要尽可能更近。而这样一来，不可避免会引发包括噪音投诉等邻里矛盾。NAND闪存具有二维结构，所以提高性能和增加容量的需求将导致单元格更小且排列更紧密。这样会数据干扰。打开隔壁的空调系统会导致你房间里的空调系统关闭，而当邻居切换电视频道时，你的电视也会做出同样的反应。为了减少此类干扰，三星设计出了一种像高层公寓楼一样垂直堆叠的单元格，替代把尽可能多的单元格塞到一块有限的土地上。于是，世界上第一个三维单元结构NAND闪存“V-NAND”诞生。从2013年使用24层的三星第一代V-NAND开始，到2019年，我们已达到了1xx层。虽然高层公寓可以容纳大量居民，但乘坐普通电梯，有时需要花很长时间才能到达最高层。同样，随着层数的增加，V-NAND也开始遇到读取时间变慢的问题。对此，三星设计出了“通道孔洞”，将垂直堆叠的楼层像高速电梯一样连接起来。该解决方案提高了NAND闪存的容量和速度。今天我们研究了NAND闪存的类型。请记住：数据是“人”，单元格是他们居住的“房间”。
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