利用GAA技术,突破FinFET尺寸和性能限制
在行业从平面晶体管转向鳍式场效应晶体管(FinFET)后,直到不久之前,多栅极器件在几十年里一直是芯片设计的标准。然而,随着FinFET技术的不断进步,“鳍片数量决定通道宽度”理论遇到了难以突破的瓶颈。尺寸上的限制导致了性能上的停滞不前。GAA技术的出现,解决了这个问题。得益于堆叠式设计,GAA技术的应用更为灵活。与FinFET架构不同,GAA采用的纳米片架构本身即可决定通道宽度,从而为功耗、性能和面积(PPA)的改进打开了一扇新的大门。
三星的 GAA 工艺支持各种尺寸的多纳米片配置。以3纳米工艺为例,三星提供了从NSW1到NSW4的四种纳米片宽度(NSW)选项。按照与频率和功耗有关的使用场景进行分类,三星可提供的配置包括超高密度(UHD)单元(NSW1和NSW2)、高密度(HD)单元(NSW1至NSW3),以及高性能(HP)单元(NSW1至NSW4)。
在PPA方面,增大纳米片宽度可提高频率,降低耗电量。
除了灵活的NSW系列配置外,其他方面的改进还包括:利用直线形状单元来节省面积;以及利用基于机器学习的电子设计自动化(EDA)解决方案来确保更顺畅的实施工艺。
借助GAA技术在性能和功耗上的改进,以及Samsung Foundry的 DTCO计划,设计人员可根据其需求,为相关设计轻松找到理想的PPA平衡点。