| 碳足迹 | 水足迹 |
|---|---|
| 13.4 千克二氧化碳 | 0.31 立方米水 |
* 13.4 千克二氧化碳相当于两棵 30 年树龄的松树一年内吸收的二氧化碳总量
[参考]三星半导体解决方案获环境认证
| 年份 | 产品 | 认证 | 授予机构 |
|---|---|---|---|
| 2009 | 64Gb DDR3（双倍速率存储器 3）（56 纳米） | 碳足迹 | 韩国环境部 |
| 2010 | 2Gb DDR3（46纳米） | 碳足迹 | 韩国环境部 |
| 2010 | 16Gb NAND（闪存芯片）（42 纳米） | 碳足迹 | 韩国环境部 |
| 2012 | 4Gb DDR3（28 纳米） | 低碳 | 韩国环境部 |
| 2012 | 2Gb DDR3（35 纳米） | 低碳 | 韩国环境部 |
| 2012 | 64Gb NAND（27 纳米） | 低碳 | 韩国环境部 |
| 2012 | 2Gb LPDDR2（低功耗双倍速率存储器 2）（46 纳米） | 碳足迹 | 韩国环境部 |
| 2012 | 4Gb LPDDR2（35 纳米） | 碳足迹 | 韩国环境部 |
| 2012 | 2Gb GDDR5（图形用双倍速率存储器 5）（35 纳米） | 碳足迹 | 韩国环境部 |
| 2012 | 8 百万像素 CIS（接触式图像传感器）（90 纳米） | 碳足迹 | 韩国环境部 |
| 2013 | 4Gb LPDDR3（35 纳米） | 碳足迹 | 韩国环境部 |
| 2013 | Exynos 5410（28 纳米） | 碳足迹 | 韩国环境部 |
| 2013 | 4Gb GDDR5（28 纳米） | 低碳 | 韩国环境部 |
| 2013 | 1300 万像素 CIS（65 纳米） | 低碳 | 韩国环境部 |
| 2014 | 64Gb NAND（21 纳米） | 低碳 | 韩国环境部 |
| 2014 | 4Gb LPDDR3（25 纳米） | 低碳 | 韩国环境部 |
| 2015 | 4Gb DDR4（25 纳米） | 碳足迹 | 韩国环境部 |
| 2016 | 4Gb LPDDR4（20 纳米级） | 碳足迹 | 韩国环境部 |
| 2016 | 64Gb NAND（10 纳米级） | 低碳 | 韩国环境部 |
| 2017 | SSD（固态硬盘） 850 EVO (250GB) | 环保产品认可 (EPD) | 韩国环境部 |
| 2017 | SSD（固态硬盘） 850 EVO (250GB) | 水足迹 | 韩国环境部 |
| 2017 | 64Gb NAND（10 纳米级） | EPD | 韩国环境部 |
| 2018 | SSD（固态硬盘） 850 EVO (4TB) | EPD | 韩国环境部 |
| 2018 | V4 NAND 512GB | EPD | 韩国环境部 |
| 2018 | 16Gb LPDDR4 | EPD | 韩国环境部 |
| 2018 | 16Gb LPDDR4X | EPD | 韩国环境部 |
| 2019 | V5 NAND 512Gb TLC | EPD | 韩国环境部 |
| 2019 | 1TB UFS 2.1 | EPD | 韩国环境部 |
| 2019 | 512GB UFS 3.0 | 碳足迹, 水足迹 | 碳信托 |
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