三星电子推出用于客户端计算的第六代 V-NAND SSD，推动 3D 存储到达新高度

韩国首尔——2019 年 8 月 6 日—— 先进存储技术企业三星电子今日宣布，公司已开始量产 250 千兆字节(GB) SATA SSD，产品集成了公司第六代（1xx 层）256 千兆位(Gb) 3-bit V-NAND，适用于全球个人计算机原始设备制造商。三星在仅仅 13 个月内推出新一代 V-NAND 产品，表明公司已将量产周期缩减四个月，同时确保高性能、高能效和高生产效率。 “实现先进 3D 存储技术量产，表明我们能够及时推出存储生产线，显著提高速度和能效标准。”三星电子解决方案产品和开发执行副总裁 慶桂顯 (Kye Hyun Kyung) 说，“随着下一代 V-NAND 产品开发周期的加快，我们计划迅速扩大基于 512 Gb V-NAND 的高速大容量解决方案市场。 100+ 层架构单堆叠 3D 存储器晶片 三星电子第六代 V-NAND 拥有快速数据传输率，运用公司独特的制造优势，将 3D 存储推向新高度。 新款 V-NAND 运用三星电子有的“通道孔蚀刻”技术，向前代 9x 层单堆叠架构增加了约 40% 单元。这是通过构建由 136 层组成的导电模具堆栈，然后垂直自上而下穿过圆柱孔，形成统一的 3D 电荷撷取闪存 (CTF) 单元实现的。 随着每个单元区的模具堆栈高度增加，NAND 闪存芯片更容易发生错误和读取延迟。为克服这些限制，三星电子采用了速度优化的电路设计，使其可实现最快的数据传输速度，写入操作的数据传输速度低于 450 微秒(μs)，读取速度低于 45μs。与上一代产品相比，其性能提高 10% 以上，而能耗降低 15% 有了这种速度优化的设计，三星电子将只需安装三个现有堆栈，便能够提供超过 300 层的下一代 V-NAND 解决方案，而不影响芯片性能或可靠性。 此外，打造 256Gb 芯片密度所需的通道孔数量已从上一代产品的超 9.3 亿降低至 6.7 亿孔，使得芯片尺寸更小，加工工序更少。因此，生产效率提升超 20%。 三星电子运用高速度和低功率特性，不仅计划将公司的 3D V-NAND 产品应用拓展到下一代移动设备和企业级服务器中，也计划将其拓展到汽车市场中，高可靠性对该市场尤为重要。 在今天推出 250GB SSD 后，三星电子计划于今年下半年推出 512Gb 3-bit V-NAND SSD 和 UFS。此外，公司预计从明年起，将在其平泽（韩国）园区扩大高速大容量第六代 V-NAND 解决方案的产量，以更好地满足全球客户的需求。

参考资料：三星 V-NAND 量产

日期	V-NAND
2013 年 7 月	第一代（24 层）128Gb MLC V-NAND
2013 年 8 月	第一代 128 Gb MLC V-NAND 960GB SSD
2014 年 8 月	第二代（32 层）128Gb 3-bit V-NAND
2014 年 9 月	第二代 V-NAND SSD
2015 年 8 月	第三代（48 层）256Gb 3-bit V-NAND
2015 年 9 月	第三代 V-NAND SSD '850 EVO'、'950 PRO'
2016 年 12 月	第四代（64 层）256Gb 3-bit V-NAND
2017 年 1 月	第四代 V-NAND SSD
2018 年 1 月	第四代 512 Gb V-NAND 30.72TB SAS SSD
2018 年 5 月	第五代（9x 层）256Gb 3-bit V-NAND
2018 年 6 月	第五代 V-NAND SSD
2019 年 6 月	第六代（1xx 层）256Gb 3-bit V-NAND
2019 年 7 月	第六代 V-NAND SSD

三星电子株式会社 简介 三星凭借突破性的想法与技术启迪世界并塑造未来，公司不断改变着电视、智能手机、可穿戴设备、平板电脑、数码家电、网络系统、内存、LSI、铸造以及LED解决方案等领域。如需获得最新资讯，请访问三星新闻中心 http://news.samsung.com.