首款用于旗舰版智能手机的 512GB 通用闪存芯片

韩国首尔——2020 年 3 月 17 日—— 优质内存技术企业三星电子有限公司今日宣布，该公司已开始量产用于旗舰智能手机的 512 千兆字节 (GB) UFS（通用闪存）3.1。三星全新 UFS 3.1 的写入速度是之前 512GB UFS 3.0 移动内存的三倍，超过了智能手机存储中 1 千兆字节/秒 (GB/s) 的性能阈值。 “随着我们推出快速的移动存储，智能手机用户将不再需要担心传统存储卡面临的瓶颈。”三星电子内存销售与营销执行副总裁 崔铁 说，“新款 UFS 3.1 反映了我们支持全球智能手机制造商今年快速增长的需求的持续承诺。” 三星 512GB UFS 3.1 的连续写入速度超过 1,200 兆比特/秒 (MB/s)，其速度是基于串口硬盘的个人计算机（540 MB/s） 的两倍多，是支持超高速接口的微型 SD 闪存卡（UHS-I microSD 卡）（90 MB/s） 速度的十倍以上。这意味着消费者在智能手机中存储 8K 视频或数百张大型照片等大量文件时可享受超薄笔记本电脑的速度，。将内容从旧手机传输到新设备需要的时间也少得多。使用新款 UFS 3.1 的手机只需大约 1.5 分钟即可传输 100GB 的数据，而基于 UFS 3.0 的手机需要 4 分钟以上。 在随机性能方面，512GB UFS 3.1 处理速度比广泛使用的 UFS 3.0 版本快 60%，为读取提供每秒 100,000 次输入/输出操作 (IOPS)，为写入提供 70,000 次 IOPS。 除了 512GB 选择外，三星还将于今年下半年推出 256GB 和 128GB 容量供旗舰智能手机使用。 三星本月开始在中国西安新生产线 (X2) 批量生产第五代垂直NAND 闪存，以充分满足旗舰和高端智能手机市场的存储需求。该公司很快计划将位于韩国的平泽生产线 (P1) 的 V-NAND 量产从第五代升级至第六代，以更好地应对不断增长的需求。

三星嵌入式内存生产线

产品	连续读取	连续写入	随机读取	随机写入
512GB UFS 3.1 (2020 年 3 月)	2100MB/s	1200MB/s (3 倍强化)	100,000 IOPS (1.6 倍强化)	70,000 IOPS (1.03 倍强化)
512GB UFS 3.0 (2019 年 2 月)	2100MB/s	410MB/s	63,000 IOPS	68,000 IOPS
1TB UFS 2.1 (2019 年 1 月)	1000MB/s	260MB/s	58,000 IOPS	50,000 IOPS
512GB UFS 2.1 (2017 年 11 月)	860MB/s	255MB/s	42,000 IOPS	40,000 IOPS
Automotive UFS 2.1 (2017 年 9 月)	850MB/s	150MB/s	45,000 IOPS	32,000 IOPS
256GB UFS Card (2016 年 7 月)	530MB/s	170MB/s	40,000 IOPS	35,000 IOPS
256GB UFS 2.0 (2016 年 2 月)	850MB/s	260MB/s	45,000 IOPS	40,000 IOPS
128GB UFS 2.0 (2015 年 1 月)	350MB/s	150MB/s	19,000 IOPS	14,000 IOPS
嵌入式多媒体存储卡 (eMMC) 5.1	250MB/s	125MB/s	11,000 IOPS	13,000 IOPS
eMMC 5.0	250MB/s	90MB/s	7,000 IOPS	13,000 IOPS
eMMC 4.5	140MB/s	50MB/s	7,000 IOPS	2,000 IOPS

三星电子株式会社简介 三星电子以变革性的想法和技术激发世界，创造未来。该公司正在重新定义电视、智能手机、可穿戴设备、平板电脑、数码电器、网络系统和内存、系统 LSI、晶圆代工和 LED 解决方案。有关最新资讯，请登录三星电子新闻中心 http://news.samsung.com.