三星发布极紫外光刻技术动态随机存取存储器 (EUV DRAM)，首批一百万个模块已交付

韩国首尔——2020 年 3 月 25 日—— 优质内存技术企业三星电子有限公司今日宣布，该公司已成功交付基于极紫外光刻 (EUV) 技术的 10 纳米级 (D1x) DDR4（第四代双倍数据速率）DRAM 模块。新款基于 EUV 的 DRAM 模块已完成全球客户评估，并将为更优质的 EUV 处理节点打开大门，用于高级 个人计算机、移动、企业服务器和数据中心应用。 “随着生产基于 EUV 的新款 DRAM，我们正充分致力于提供更优质的 DRAM 解决方案，以支持我们的全球 IT 客户。”三星电子 DRAM 产品与技术执行副总裁李禎培 (Jung-bae Lee) 表示，“这一重大进步突显出我们将如何通过及时为高端内存市场开发优质处理技术和下一代内存产品，继续为全球信息技术产业创新做出贡献。” 三星在 DRAM 生产中采用 EUV，以克服DRAM 扩展方面的挑战。EUV 技术减少了多次图案化的重复步骤，提高了图案化精度，实现更高性能和更高产量，并缩短了开发时间。 EUV 将从其第四代 10 纳米级 (D1a) 或优质的 14 纳米级 DRAM 开始完全部署于三星未来的 DRAM 中。三星预计明年将开始生产基于 D1a 的第五代双倍数据速率内存 (DDR5) 和第五代低功耗双倍数据速率内存 (LPDDR5)，这将使 12 英寸 D1x 晶圆的制造生产率提高。 随着明年 DDR5/LPDDR5 市场的扩张，公司将进一步加强与先进信息技术客户和半导体供应商在优化标准规格方面的合作，从而加速整个内存市场向 DDR5/LPDDR5 的过渡。 为了更好地满足对下一代高端 DRAM 日益增长的需求，三星将于今年下半年在韩国平泽开始运营第二条半导体生产线。

三星 DRAM 里程碑时间线

年	三星 DRAM 里程碑时间线
2021（待定）	第四代 10 纳米级 (1a) 基于 EUV 的 16 千兆字节 (Gb) DDR5/LPDDR5 量产
2020 年 3 月	第四代 10 纳米级 (1a) 基于 EUV 的 DRAM 开发
2019 年 9 月	第三代 10 纳米级 (1z) 8Gb DDR4 量产
2019 年 6 月	第二代 10 纳米级 (1y) 12Gb LPDDR5 量产
2019 年 3 月	第三代 10 纳米级 (1z) 8Gb DDR4 开发
2017 年 11 月	第二代 10 纳米级 (1y) 8Gb DDR4 量产
2016 年 9 月	第一代 10 纳米级 (1x) 16Gb LPDDR4/4X 量产
2016 年 2 月	第一代 10 纳米级 (1x) 8Gb DDR4 量产
2015 年 10 月	20 纳米 (2z) 12Gb LPDDR4 量产
2014 年 12 月	20 纳米 (2z) 8Gb 第五版图形用双倍数据传输率存储器 (GDDR5) 量产
2014 年 12 月	20 纳米 (2z) 8Gb LPDDR4 量产
2014 年 10 月	20 纳米 (2z) 8Gb DDR4 量产
2014 年 2 月	20 纳米 (2z) 4Gb DDR3 量产
2014 年 2 月	20 纳米级 (2y) 8Gb LPDDR4 量产
2013 年 11 月	20 纳米级 (2y) 6Gb LPDDR3 量产
2012 年 11 月	20 纳米级 (2y) 4Gb DDR3 量产
2011 年 9 月	20 纳米级 (2x) 2Gb DDR3 量产
2010 年 7 月	30 纳米级 2Gb DDR3 量产
2010 年 2 月	40 纳米级 4Gb DDR3 量产
2009 年 7 月	40 纳米级 2Gb DDR3 量产

三星电子株式会社简介 三星电子以变革性的想法和技术激发世界，创造未来。该公司正在重新定义电视、智能手机、可穿戴设备、平板电脑、数码电器、网络系统和内存、系统 LSI、晶圆代工和 LED 解决方案。有关最新资讯，请登录三星电子新闻中心 http://news.samsung.com