*所示图片仅供演示之用。
借助三星 X-Cube，芯片设计者可以更灵活地构建适合其独特需求的定制解决方案。基于 7 纳米工艺的 X-Cube 试验芯片采用 TSV 技术在逻辑裸片上堆叠静态随机存储器 (SRAM)，从而释放出空间以在更小的外形中封装更多的内存。这种超薄的封装设计采用 3D 集成技术，显著缩短了裸片之间的信号路径，从而实现理想的数据传输速度和能效。客户还可以根据需要的规格来扩展存储器带宽和密度。 三星 X-Cube 采用经硅晶验证的设计方法学和流程，现在支持 7 纳米和 5 纳米等先进工艺节点。在初步设计的基础上，三星将继续与全球无晶圆厂客户携手，促进 3D 集成电路解决方案在下一代高性能应用中的部署。 有关三星 X-Cube 的更多详细信息将在 Hot Chips 上呈现，这是有关高性能计算的年度盛会，将于 8 月 16-18 日举行流式直播。
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