作为第一个关键策略的核心基石，三星将会把DRAM和NAND的密度提升到更好水平，通过提供客户定制型产品等差异化解决方案开拓新市场。
凭借走在创新前沿的技术实力实现超高的密度水平
在即将到来的10纳米以下DRAM和1,000层V-NAND时代，新结构和材料的创新至关重要。在DRAM方面，我们正在开展3D堆叠结构和新材料的研发，V-NAND则在持续增加层数的同时降低高度，并更大限度地减少单元之间的干扰以达到更小的单元尺寸，从而不断加强我们的优势。与此同时，我们正在稳步开发新一代创新技术（如准备引入新结构）以创造全新价值，从而更大限度地提高V-NAND的输入和输出(I/O)速度。
此外，我们目前正在开发的11纳米级DRAM将达到一个较高的密度水平。另外，基于双堆栈(Double Stack)架构的第九代V-NAND已准备好于明年量产，有望达到一个较高的NAND层数。
旗舰产品阵容将带来高性能、高容量和低功耗上的新提升
最近，三星电子成功开发出了超高容量的32Gb DDR5 DRAM。未来，我们将继续扩大高容量DRAM产品阵容，将解决方案覆盖到1TB容量模组。我们希望能够在此基础上向前再迈进一步，积极利用CMM（CXL Memory Module，CMX内存模组）等新接口，争取在未来实现内存带宽和容量随需扩展的梦想。
HBM是可在AI时代为客户提供全新价值的一款核心产品。2016年，三星电子在业界率先实现了用于HPC的HBM2的商业化，正式开拓了HBM市场。这为当今面向AI市场的HBM奠定了基础。目前，三星正在量产HBM3，同时在下一代产品HBM3E上也取得了重大进展。通过充分利用多年量产经验积累的成熟技术能力，并基于与不同客户的合作关系，三星将为客户提供高性能HBM，并扩展到定制的HBM解决方案。
LPDDR DRAM是一款低功耗专业产品，它是采用高K金属栅极(High-K Metal Gate)*工艺实现高性能并采用模块化的LPDDR5X CAMM*2解决方案，我们计划未来将其应用领域拓展到PC市场和数据中心。
*高K金属栅极：将新型金属材料应用到栅极以更大程度减少泄漏电流的技术
*CAMM(Compression Attached Memory Module)：基于LPDDR封装的模组产品
发掘全新解决方案，拓展存储的无限潜力
为了改进内存面临的瓶颈问题，我们将在存储芯片内部或模组级执行数据运算功能的PIM（Processing-in-Memory，内存处理）和PNM（Processing-near-Memory，近内存处理）技术应用于HBM、CMM等产品，在大幅提升数据计算能力的同时提高能效。
在服务器存储方面，我们也即将推出PB(Petabyte) SSD，该产品可根据应用领域改变容量并扩展到PB级。
根据第二项核心战略，三星将重点放在提高高附加值产品的比例和扩大先进工艺产能上，以应对超大规模人工智能等新应用的需求。与此同时，我们将持续进行投资并提升存储器生产线的运营水平，以解决需求波动和存储器产品生产周期(Lead time)较长的问题。
此外，我们还将放眼于未来持续投资，通过在三星电子存储业务起步的器兴园区搭建先进半导体研发生产线等举措为未来做好准备。
根据第三个关键战略，三星将继续与客户和合作伙伴建立牢固的合作关系。这包括通过在产品规划、技术开发和质量方面的密切合作来扩大新产品线和市场。
例如，我们将与云服务和设备、芯片组、软件供应商合作，从定义产品规格阶段开始，扩大到针对新一代系统和应用优化的存储解决方案的联合开发，例如更大限度地减少数据传输速度延迟、实现带宽更大化以及大幅提升能效。
同时，我们还将加强与全球合作伙伴在材料和设备等方面的合作，为DRAM和NAND的开创性(Disruptive)技术打下良好基础。
不惧未来挑战
我认为，三星之所以能在过往取得众多耀眼的成果和业绩，是源于我们不怕失败的勇气、对达成目标的渴望以及挑战极限的精神。
未来的社会将更加复杂，IT行业的发展也会衍生更丰富的产品和新型服务。因此，三星电子将以先进技术为基础，通过持续的挑战和创新与客户携手发展，共创更美好的未来。
三星电子将于10月20日在美国硅谷举行“ Samsung Memory Tech Day 2023（2023年三星存储技术日）”活动，届时会介绍全新的存储器半导体技术、产品以及未来战略。三星电子存储的技术能力将会开启一个怎样的未来？我们将通过此次活动与大家分享，请各位拭目以待。
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