三星在全新1TB microSD存储卡上堆叠了八层三星第8代1Tb V-NAND，实现了过去仅能应用于SSD的大容量封装。全新1TB microSD存储卡已通过业内测试，即使在极具挑战性的环境中也能保持稳定可靠。产品具备防水、耐极端温度、防摔、防磨损、防X射线和防磁
4等六重防护特性
推出时间
256GB SD Express microSD存储卡将于今年内推出，1TB UHS-1 microSD存储卡预计将于今年第三季度投入市场。
1) 1GB=1,000,000,000字节（10亿字节）。实际可用容量可能会少于标识容量。
2) SD Express：全新SD存储卡接口支持PCIe Gen3x1 协议（基于2019年2月发布的SD 7.1规范），理论传输速度可达985MS/s。
3) 1TB=1,000,000,000,000字节（1万亿字节）。实际可用存储容量可能会有所不同。
4) 对于存储卡数据恢复过程中出现的任何数据损坏/损失或费用，三星概不负责。六重防护仅针对1TB UHS-1 microSD存储卡，不包括256GB SD Express microSD存储卡。1米深度，海水，持续72小时。工作温度-25℃至85℃（-13°F to 185°F），非工作温度-40℃至85℃ （-40°F to 185°F）。可承受标准机场X光机器（高达100mGy）。相当于高磁场MRI扫描仪的磁场（高达15,000高斯）。可承受高达5米（16.4 英尺）的摔落。最高10,000 次插拔。
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