三星电子举办“2023年存储器技术日”活动 以多项创新技术拥抱超大规模AI时代

三星电子今天举办了一年一度的“存储器技术日”活动。三星在活动上展示了多项开创性的创新技术和新型存储器产品，旨在加速面向云计算、边缘设备和汽车等未来应用的技术进步。 本次活动吸引了约600位客户、合作伙伴和行业专家参加。三星高管在活动上介绍了公司“重构存储器”的愿景，以及继续保持存储器技术优势地位的长期规划、市场趋势展望和可持续发展目标。此外，三星还展示了多款新产品，如HBM3E Shinebolt、LPDDR5X CAMM2和可拆卸式AutoSSD等。

三星电子总裁兼存储器业务主管Jung-Bae Lee在主题演讲中详细介绍了三星在新型晶体管结构和材料方面的创新，以及如何利用这些创新来应对超大规模AI时代的挑战。例如，三星正在为亚10纳米DRAM准备新的3D结构，单芯片容量有望超过100Gb（千兆比特）。继2023年5月开始量产12纳米级DRAM后，三星正在开发下一代11纳米级DRAM，其存储密度将创造新的业界纪录。 此外，三星在闪存技术上也实现了突破。目前正在研发单元尺寸更小的新型NAND闪存，采用经过改进的沟道孔蚀刻技术，目标是推出垂直堆叠层数高达1,000层的NAND（V-NAND）。三星第九代V-NAND的开发进展顺利，基于双重堆叠结构，层数方面也将创业界新高。三星已研制成功新型V-NAND的功能芯片，计划于明年初开始量产。 Lee表示：“超大规模人工智能的新时代将业界带到了创新和机遇交汇的十字路口，尽管面临挑战，但这是一个有可能实现巨大飞跃的时代。我们将继续通过重新构想和不懈创新，与客户和合作伙伴合作，推出适合各种应用的解决方案，以继续保持我们的市场地位。” HBM3E“Shinebolt”

在不断发展的云系统中，高性能存储器是优化计算资源、实现高容量、高带宽和虚拟存储功能所必需的。三星于2016年首次推出商用HBM2产品，开辟了面向高性能计算（HPC）的HBM市场。今天，三星发布了名为“Shinebolt”的新一代HBM3E DRAM。 三星Shinebolt支持新一代AI应用，可提高总体拥有成本(TCO)，加速数据中心的AI模型训练和推理。HBM3E的每个引脚速度高达9.8Gbps（千兆比特每秒），这意味着整体传输速率可超过1.2TBps（太字节每秒）。 为实现更高的堆叠层数并改善热特性，三星优化了非导电薄膜(NCF)技术，以消除芯片层之间的间隙并尽可能提高导热性。 三星8H和12H HBM3产品目前已进入量产阶段，而Shinebolt已开始向客户提供样品。作为半导体整体解决方案提供商，三星计划充分发挥其优势，把新一代HBM、先进封装技术和代工产品结合在一起，为客户提供定制化服务。

此次活动中的其他亮点产品还包括容量提升的32Gb DDR5 DRAM、创新的32Gbps GDDR7，以及可显著提升服务器应用存储能力的PB（拍字节）级产品PBSSD。 重新定义边缘设备的高性能存储器 为应对处理数据密集型任务的需求，当今的AI技术正在转向混合模型，将工作负载分配在云和边缘设备之间。为此，三星推出了一系列面向边缘设备的高性能、大容量、低功耗、紧凑型存储器解决方案。 除开创性的7.5Gbps LPDDR5X CAMM2²（有望在新一代PC和笔记本电脑DRAM市场引领潮流）之外，三星还展示了9.6Gbps LPDDR5X DRAM、专用于设备端AI的LLW DRAM、下一代通用闪存(UFS)，以及面向个人电脑的大容量四级单元(QLC) SSD产品BM9C1。 进军车载存储器解决方案之路 随着自动驾驶解决方案的不断发展，市场对高带宽、大容量DRAM和共享SSD（可与多个片上系统(SoC)共享数据）的需求也在不断增长。三星展示了可拆卸AutoSSD产品，支持通过虚拟存储技术从单块SSD访问多个SoC中的数据。 可拆卸AutoSSD的顺序读取速度可达6,500MBps（兆字节每秒），支持高达4TB的容量。这款SSD采用可拆卸设计，汽车用户和制造商可以更轻松地升级和调整。三星还展示了多种车载存储器解决方案，例如高带宽GDDR7，以及封装尺寸更紧凑的LPDDR5X。 让技术可持续发展的技术 此外，三星在活动当日特别展示了公司半导体部门的多项创新技术，这些技术将有助于提高客户和消费者的能源效率，践行公司致力于减少对环境影响的承诺。 三星计划采用超低功耗存储器技术，帮助降低数据中心、个人电脑和移动设备的功耗，同时使用可回收材料来减少便携式SSD产品中的碳足迹。三星的新一代解决方案（例如PBSSD）能够大幅提高空间效率和机架容量，有助于减少服务器系统的能耗。 三星半导体将继续与客户，以及半导体产业链的合作伙伴们合作，并通过其可持续发展倡议“让技术可持续的技术”，在解决全球气候问题方面发挥积极作用。 如需了解更多有关三星半导体解决方案和2023年三星存储器技术日的信息，请访问：https://semiconductor.samsung.com/events/techday-memory-2023/。活动回顾将于稍后发布。 关于三星电子 三星电子以开创性的理念和技术启迪世界，塑造未来，不断重新定义电视机、智能手机、可穿戴设备、平板电脑、数字电器、网络系统、存储器、系统大规模集成电路(LSI)、晶圆代工和LED解决方案。有关最新资讯，请访问三星新闻中心 news.samsung.com。 _{免责声明： 除非经特殊说明，本文中所涉及的数据均为三星内部测试结果，涉及的对比均为与三星产品相比较。}

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_{¹ CAMM: 压缩附加存储器模组。 ² LLW: 低延迟宽I/O。}