三星在三星技术日公布半导体创新成果

全球领先的先进半导体技术企业三星电子今日在年度三星技术日宣布，其集成式半导体生态系统取得多项突破性进展，涵盖新一代代工技术以及NAND闪存、SSD固态硬盘、DRAM动态存储器等核心领域，标志着公司在半导体产业链垂直整合能力达到新高度。

在三星年度技术日公布的技术包括：

• 三星代工业务务的 7nm EUV 工艺节点在功耗、性能和面积方面取得了显著进展。

• 四级单元 (QLC)-SSD 适用于企业和数据中心，每个单元的存储容量比 三级单元 (TLC)-SSD 多 33%，整合了存储空间并提高了总体拥有成本 (TCO)。

• 256 千兆字节 (Gb) 3DS（三维堆栈）RDIMM（注册双列直插式内存模块）基于 10nm 级 16 千兆位 (Gb) DDR4 DRAM，可将当前最大容量提高一倍，从而提供更高的性能和更低的功耗。

“三星技术的重要地位和产品广度非常杰出，” 三星电子株式会社 三星半导体有限公司 总裁 崔周善 (JS Choi) 说道，“将 7nm 极紫外光刻 (EUV) 投入生产是一项了不起的成就。此外和 256GB 3DS RDIMM 的公布代表了性能和容量方面的突破，这将继续扩大计算界限。三星综合性技术生态系统的这些成果将为新一代数据中心、较高性能计算 (HPC)、企业、人工智能 (AI) 和新兴应用程序提供支持。”

较为先进的铸造技术

三星开始生产 7nm LPP（低功耗增强版）EUV 工艺节点的晶圆是半导体制造业的一个重要里程碑。7LPP EUV 工艺技术取得了巨大的进步，包括最大面积减少 40%，动态功耗降低 50%，性能比 10nm 工艺提高 20%。 7LPP 工艺清晰地展示了铸造业务技术路线图的发展轨迹，为三星的客户提供了向 3nm 迈进的直接途径。

为无服务器计算提供支持

三星通过新 四级单元 (QLC)-SSD、256GB 3DS RDIMM 以及高带宽内存 (HBM) 2 Aquabolt 等产品，为较先进的无服务器计算提供商提供支持。通过加速数据处理、绕过服务器 中央处理器 (CPU) 限制以及降低功耗需求，这些产品将使数据中心运营商能够在支付成本的同时继续以更快的速度进行扩展。

三星为未来数据中心提供的业界杰出闪存产品还包括 键值(KV, Key Value) (KV)-SSD 和 Z-SSD。 KV-SSD 解决了区块存储效率低下的问题，减少了延迟，并允许数据中心性能在 中央处理器 (CPU) 架构最大化时均匀扩展。新一代 Z-SSD 将是公司有史以来推出的较快闪存，具有高度可用的双端口、较低延迟和 U.2 外形，旨在满足企业客户的新兴需求。 Z-SSD 还将采用 PCIe Gen 4 接口，具有较快速的 12 千兆字节/秒 (GB/s) 顺序读取能力，比现有的 SATA SSD 驱动器快多 倍。

加速应用学习

一系列革命性的三星解决方案将促进即将推出的机器学习和人工智能技术的发展。在科技日， 人工智能 (AI) 展示了 16Gb GDDR6 (64GB/s) 的较惊人数据传输速度、Z-SSD 的超低延迟以及 Aquabolt 的业界较好性能，其已达到目前市场上任何基于 DRAM 内存解决方案的较高水准。这些解决方案帮助三星的企业和数据中心客户打开了应用学习的新大门，并创造了新的 AI 进展。

简化数据流

三星的全新解决方案不仅能够实现较快的速度和较高的性能，还能提高企业客户的效率。 在科技日展出的企业产品包括 D1Y 8Gb DDR4 服务器 DRAM，它采用较先进的 DRAM 工艺，可以降低功耗。 三星的 256GB 3DS RDIMM 还有助于提高企业绩效，并支持内存密集型服务器，其存储容量可达 16TB (TB)。

此外，三星的双端口 x4 PCIe Gen 4 32TB SSD 提供 10GB/s 性能。与硬盘驱动器 (HDD) 相比，三星的 1Tb 四级单元 (QLC)-SSD 为企业客户提供了具有竞争效率的较先进存储方案，而 KV-SSD 可以在 CPU 架构最大化的同时实现服务器性能扩展，同时提供有竞争力的 TCO、完善的写入放大因子 (WAF) 和可扩展性。

打破性能障碍

凭借其较先进的规格，三星的 四级单元 (QLC)--SSD、Z-SSD 和 8GB Aquabolt 帮助较高性能计算客户突破性能障碍，达到新的高度。 8GB Aquabolt 提供当今市场上任何基于 DRAM 内存解决方案的较出色数据传输速度和较高性能，每个 HBM 立方体的速度可达 307GB/s。 QLC-SSD 和 Z-SSD 自身强大，还可以提供分层存储解决方案，使整体系统性能提高 53%。

较出色的产品生态系统

三星较全面的产品组合采用较先进的解决方案，为数据处理速度、容量、带宽和节能设立了较新标准。通过利用此类解决方案，数据中心、企业公司、超大规模和新兴技术平台能够根据需求配置产品解决方案，并开发令人兴奋的较新技术产品，如 第五代移动通信技术 (5G)、人工智能 (AI)、企业和较大规模数据中心、汽车、网络等等。

三星将继续通过创新，例如基于单一结构的第六代 垂直 NAND (V-NAND)，或采用“1-栈技术”，以及采用 EUV 的低于 10nm 的 DRAM，实现较高密度和性能，继续推动未来半导体技术的发展。

包括苹果联合创始人 Steve Wozniak 在内的业界专家应邀参加了三星技术日，以应对当今半导体市场的进步和挑战，并对半导体技术的未来发表见解。400 多位客户、合作伙伴和行业影响者参加了此次活动。

三星电子株式会社简介

三星以变革性的想法和技术激发世界，创造未来。该公司正在重新定义电视、智能手机、可穿戴设备、平板电脑、数码电器、网络系统和内存、系统 LSI 、晶圆代工和 LED 解决方案。有关最新资讯，请登录三星新闻中心 http://news.samsung.com。