内存技术新突破

我们的世界处处皆是数据，随着内存技术的进步，
我们需要使用更小的尺寸实现更高的性能。为了提前克服 DRAM 扩展限制并引领下一代内存制造，三星电子实现了极端远紫外 (EUV) 先进处理技术。

EUV 先进处理技术采用 13.5 纳米精确波长，取代先前的 193 纳米波长。这使得内存可以借助相同的面积和大小存储更多的容量，以满足未来对高容量内存日益增长的需求。

和基于较长波长的多模式相比，单模式借助新型处理技术提高了精度，并缩短了处理时间。
与以前的处理技术相比，单模式显著提高了晶圆的生产效率。

三星电子借助基于 EUV 逻辑进程的制造专业知识预防缺陷，并通过逐步实施 EUV 先进技术及早提高质量，最终巩固了企业信誉。
应用 EUV 技术的 DRAM 产品的投产，在质量和技术上均获得了全球客户的信赖和认可。

借助业界先进的处理技术开拓全新的 DRAM 产品线，三星电子转变了DRAM 产业的运作模式。
这一不懈的创新为下一代内存产品铺平了道路。