逻辑节点

三星3纳米工艺采用全环绕栅极(GAA)技术以及特殊的纳米片结构，可增大通道宽度，实现功耗、性能和面积(PPA)的全面提升。

SF4E是Samsung Foundry首个4纳米工艺产品，专为移动产品量身定制，于2021年开始量产。

5纳米工艺使高性能计算(HPC)系统能够以更低耗电量完成更多工作，以更少的能耗打破性能瓶颈。

7纳米工艺首次引入极端远紫外(EUV)光刻技术，在硅晶圆上使用了一种远比传统浸没式ArF更灵活的曝光工艺。

三星8纳米RF是一种单芯片解决方案，也是5G时代信息高速共享的理想之选。其可在小型移动设备中实现持久的续航时间和纯净的信号质量。

FD-SOI（全耗尽绝缘体上硅）工艺可克服Bulk CMOS技术的部分限制，提升性能并减少耗电量和面积。

三星将3D鳍式场效应晶体管(FinFET)技术与14纳米工艺结合，标志着晶圆代工行业一重要的技术里程碑，实现提高性能、降低功耗、增强扩展能力。

28纳米无线电频率(RF)工艺使芯片设计者能够利用28RF工艺设计工具包(PDK)和相关验证方法，通过先进的RF功能来增强侧重于连接的应用。

与90纳米工艺相比，三星70纳米工艺可实现更快速度、更低功耗、更高良率，进一步提升晶圆的有效利用率。

90纳米SoC设计，标志着三星在纳米技术方面的一次重大飞跃，并提供包括更低动态功耗在内的低功耗选择。

130纳米工艺是可穿戴设备和物联网设备的首选工艺，其电源管理可使设备在低功耗下依然拥有卓越的工作表现。

三星180纳米工艺拥有出众的精确度和可靠性，是模拟应用的理想选择。