Samsung Foundry 借助前沿的工艺技术、
一流的 IP、
先进的封装和设计等完整的端到端解决方案，助力要求
最为苛刻的高性能计算 (HPC) 平台。
在这个全球加速转变的时代，我们在
不断增加部署 AI 和 5G 技术，
以应对日益复杂的工作负载和分析任务。
为了满足这些需求，企业和超大规模云数据中心、通信和网络平台成为了全球各行各业的基础。因此，它们必须进行高效扩展，同时还不能影响计算能力、性能、
延迟、带宽和功能。
Samsung Foundry 在为客户提供优秀的专业知识和创新方面，发挥着
重要作用，
让他们能够专注设计可以重塑本行业的高性能和计算密集型
解决方案。我们立志在迅速更新换代的移动、AI、网络、性能和存储领域
成为值得信赖的晶圆代工供应商，这一目标促使我们致力于实现技术创新
和制造卓越。我们致力于提供
稳妥、可靠和创新的技术
，能够无缝集成，
并用于生产下一代增强型 SOC 和多芯片
模块平台。
我们的大批量制造能力和追求卓越的不懈努力使我们立于不败之地，从而扩展我们的生产，以满足客户在其产品生命周期任何阶段的需求。我们
持续投资新的生产线，确保我们的高级 EUV 节点拥有充足的产能。
Samsung Foundry 通过交付 CPU 和 GPU 引擎、神经网络、内存和存储芯片
，以及
各种接口和连接解决方案技术，继续助力 HPC、AI 和高级网络平台。
能够助力您实现新平台的 Samsung Foundry 核心技术包括：
经济实惠的前沿
工艺节点技术
高级封装和
小芯片集成
适用于设计服务和 OSAT 的灵活业务参与模式
和
行业领先的合作伙伴共同构建的硅验证 IP
连接
解决方案
先进的存储和
内存解决方案
接口 PHY：PCIe、以太网、USB、多协议 SerDes
芯片间：PCIe、CXL、CCIX、56/112G SerDes (MR/LR)
裸片间（串行）：56/112G SerDes (XSR/VSR)、专利型
裸片间（并行）：HBM-like、HBI、BoW、专利型
I-Cube：2.5D 硅中介层
R-Cube：2.5D RDL 中介层
X-Cube：3DIC
H-Cube：混合解决方案
标准单元
内存编译器：SRAM/TCAM
安全：PUF & TRNG
先进工艺技术
拥有大量 DTCO 的高性能低功耗资源库
经过优化的金属堆栈
性能提升套件
Samsung Foundry 始终立足于创新前沿，开发的第一款 FinFET 和 EUV 行业领先的工艺技术，仍在继续助力当前和未来的平台。我们的技术专家能够通过提供广泛而可扩展的一系列 FinFET 和 EUV 技术，帮助您选择适合您目标应用的工艺节点。我们持续投入下一代先进全环绕栅极 (GAA)
技术，让您始终都能拥有实现一次完成硅晶设计所需的性能、功率、带宽、质量和可靠性。
为了保证提高性能，许多 Samsung Foundry 工艺都在晶体管和标准单元层面经过额外优化。其中还纳入了柔性金属堆栈选项和更高的堆栈库（其中含有性能提升套件）。此外，这些工艺节点都会在您提升硅产量期间，提供全面的晶圆代工服务和供应链支持。
数以百万的晶圆
得以处理
数以百万的晶圆
得以处理
前沿
量产产品
供应头部
客户
下一代
工艺
高性能晶体管
多 Vt 支持，包括 uLVT 实现
过载支持及超低 Vmin 支持，以在扩展时平衡性能和功耗
SRAM
注册文件
TCAM
| 技术 | 计算/图形 | 数据中心和企业 | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| N/W | AI | 存储 | |||||
| Ent | D/C | 培训 | 接口 | Ent | D/C | ||
| 工艺 （推荐） |
5nm，4nm， 3nm GAA |
14/11nm， 10/8nm |
5nm，4nm， 3nm GAA |
5nm，4nm， 3nm GAA |
8nm，5nm | 14/11nm 10/8nm，5nm |
|
Samsung Foundry 提供大量经过优化的一流 IP，
以满足您的性能需求。我们的产品组合
能为您的性能强化型应用同时提供
专用型和基础型 IP。此外，我们的基础型 IP 还经过优化，旨在尽量
满足您的性能需求。
| IP | 14nm/11nm | 10/8nm | 5nm | 4nm | |
|---|---|---|---|---|---|
| ADAS | SerDes | 已勾选 | 已勾选 | 已勾选 | 已勾选 |
| D2D | 已勾选 | 已勾选 | |||
| PCIe | 已勾选 | 已勾选 | 已勾选 | 已勾选 | |
| 以太网 | 已勾选 | 已勾选 | 已勾选 | 已勾选 | |
| IVI | 低功耗双倍数据率同步动态随机存储器（LPDDR） | 已勾选 | 已勾选 | 已勾选 | 已勾选 |
| 双倍数据率同步动态随机存储器（DDR） | 已勾选 | 已勾选 | 已勾选 | 已勾选 | |
| 图形用双倍数据传输率存储（GDDR） | 已勾选 | 已勾选 | 已勾选 | 已勾选 | |
| 高带宽存储器（HBM） | 已勾选 | 已勾选 | 已勾选 | 已勾选 | |
| 模拟 IP | 已勾选 | 已勾选 | 已勾选 | 已勾选 | |
| 静态随机存储器（SRAM）、三态内容可寻址存储器（TCAM） | 已勾选 | 已勾选 | 已勾选 | 已勾选 | |
在一个快节奏的市场中，速度和生产效率就是关键。客户根据我们帮助他们加快采用、确保迅速集成，同时缩短设计周期时间以及提高生产效率及其流片和硅晶成功率的能力，来衡量我们的效率。因此，我们建立了一个设计支持
平台，用于促进完成客户设计并优化周期时间。
一套完整的 PDK 文件
稳妥的设计流程方法，针对特定节点提供并且
可下载，以便迅速开始设计工作
一整套资源库和 IP
一整套资源库和 IP
稳妥的设计流程方法，针对特定节点提供并且
可下载，以便迅速开始设计工作
Samsung Foundry 与重要设计支持和 IP 合作伙伴密切合作，旨在优化工具并实现更高的设计生产效率。此外，我们的 SAFE-QEDA 或 EDA 认证计划可通过确保
IP 和客户设计，来满足 Samsung Foundry 工艺和封装技术要求，实现更高的设计和硅晶成功率。此外，我们的设计支持合作伙伴已经步入了新的计算软件时代，在这个时代，系统级设计、人工智能和电子设计自动化的融合带来了改进，实现了更大的设计优化。
所有这些优化共同提供了一个稳妥可靠的设计支持平台，这对于尽早
采用 Samsung Foundry 5nm EUV、
3D IC 和即将上市的 GAA 等新兴技术而言尤其重要。
| DK/PDK(*) | 数据中心和企业 | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| ANSYS | 楷橙 | 西门子 EDA | 新思科技 | 其他 | |
| SPICE | 已勾选 | 已勾选 | 已勾选 | ||
| 参数化单元 | 已勾选 | 已勾选 | |||
| DRC/天线 | 已勾选 | 已勾选 | 已勾选 | ||
| 伪插入 | 已勾选 | 已勾选 | 已勾选 | ||
| LVS | 已勾选 | 已勾选 | 已勾选 | ||
| 阻容提取 | 已勾选 | 已勾选 | 已勾选 | ||
| IR/EM | 已勾选 | 已勾选 | 已勾选 | ||
| DFM | 已勾选 | 已勾选 | 已勾选 | ||
| DK/PDK(*) | 数据中心和企业 | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| ANSYS | 楷橙 | 西门子 EDA | 新思科技 | 其他 | |
| RTL | 已勾选 | Arteris IP | |||
| 合成 | 已勾选 | 已勾选 | |||
| DFT | 已勾选 | 已勾选 | 已勾选 | ||
| PD/STA | 已勾选 | 已勾选 | |||
| PV/签核 | 已勾选 | 已勾选 | 已勾选 | ||
| IR/EM | 已勾选 | 已勾选 | 已勾选 | ||
易于采用且能快速集成，是所有高性能设计的关键特质。Samsung Foundry 为客户提供一个由 IP、设计服务、设计支持和实现合作伙伴组成的综合性生态系统。我们的 SAFE™ 计划为此类合作提供了框架。
大型电子设计自动化 (EDA) 供应商提供的一流参考流程。
完善的资源库，包含标准单元、内存编译器和 I/O 接口。
种类广泛的 IP 组合，包含混合信息、外设、多介质内核及接口。
面向制造设计的预见性解决方案，可在设计流程中解决收率上游问题。
先进的封装和测试。
设计服务合作伙伴
云设计支持
OSATS
在这个盛行高性能计算和网络的新一代，设计人员在满足系统性能要求的过程中，面临着更大的 SOC
集成挑战。因此，新的封装技术
和业务模式得以开发和部署，以突破
这些局限，同时
为客户提供更加广泛的产品组合，实现最优拥有成本
（或性价比）。
切换模式：COT（客户拥有工具）、COPD（客户拥有物理设计）
客户可以在 Samsung Foundry 封装产品或我们的性能 OSAT 合作伙伴（例如，Amkor）提供的产品之间做出选择
I-Cube：
2.5D 硅中介层
R-Cube：
2.5D RDL 中介层
X-Cube：
3DIC
H-Cube：
混合解决方案
这种带有 300-mm TSV（硅通孔）的硅 (Si) 中介层晶圆由 Samsung Foundry 制造。共有两种组装工艺，具体取决于硅中介层的使用方式：基板上芯片 (CoS) 或晶圆上芯片 (CoW)。在 CoS 中，硅中介层位于背面研磨并锯切的硅中介层晶圆中。芯片组装在封装基板上。然后，在其上方贴装逻辑器件和 HBM 模块。在 CoW 中，逻辑器件和 HBM 模块采用晶圆级模塑、研磨和锯切工艺，贴装在背面研磨的硅中介层晶圆上，然后再将带有器件的模塑硅中介层裸片贴装到封装基板上。CoS 拥有一个重要优势：中期测试。中期测试可确保在贴装 HBM 之前不会贴装任何故障中介层或逻辑芯片。CoW 则拥有另一个重要优势：更大。CoW 可以使用更大的硅中介层。CoS 有助于开发低成本 2.5D 封装，而 CoW 则有助于开发搭载更多 HBM 模块的 2.5D 封装。Samsung Foundry 已经成功验证 I-Cube™ 的资质，可提供多种中介层尺寸、HBM 模块数和封装尺寸。如今，使用 2 个 (1,600mm2) 硅中介层并集成高级逻辑芯片和多达四个 HBM 模块的 2.5D 封装已经完全通过资质验证，可以用于生产。使用更大硅中介层并集成超过 4 个 HBM 模块和 300nF/mm2 ISC™（集成堆栈电容器）的更大的 2.5D 封装正在开发当中。
R-Cube™ 是以 RDL 在前的工艺，称为“芯片在后”(chip last) 工艺。通常会于 R-Cube™ 工艺初期，在载体上制造 RDL 层。通过最后制造 RDL 层，可以实现比芯片在前 (chip first) 工艺更快的总处理时间 (TAT)。此外，通过推迟制造 RDL，可以在 RDL 层贴装已知良好的 ASIC 和 HBM。RDL 中介层的一个重要优势在于它作为无硅通孔解决方案，是一种低成本选项。而且，RDL 中介层因具有极小的信号通孔尺寸，而大幅改善了 SerDes 信号完整性 (SI)，并且因 RDL 金属厚度而改善了内存 SI。此外，采用的低损耗介电材料有助于降低介电损耗。而且，RDL 介质层利用精细的线路宽度和间距减少了路由干扰，从而提高设计灵活性。Samsung Foundry 正在开发一款 2.5D 无硅通孔 RDL 中介层技术，配备 2/2um 线路和间距宽度，以及集成了 4 个 HBM 模块的大型中介层（约为 1600mm2）。
结合这三项技术，可实现更高密度集成、更大规模扩展，并改进电源效率和降低延迟。三星电子率先提供具备高度可靠性和竞争优势的微凸块 3DIC 产品，例如高带宽内存 (HBM) 和 CMOS 图像传感器 (CIS) 产品。Samsung Foundry 已在 7LPP 逻辑裸片和 7LPP SRAM 裸片之间，利用微凸块 CoW 技术和逻辑 TSV PDK，实施了高带宽和低延迟静态随机存储器 (SRAM) 接口，用于 AI 推理等低功耗 3DIC 应用。此外，我们凭借专业知识和迅速的大批量制造，能够从早期阶段开始保障高收率生产。我们已经做好准备，随时采用基于适用于低功耗 3DIC 应用的微凸块 CoW 和 TSV 技术进行量产。无凸块混合裸片到晶圆 (D2W) 技术正在开发当中。
H-Cube™ 包含一个中介层、一个小间距基板和一个模块基板。Samsung Foundry 开发了这一解决方案，用于提供封装尺寸大而又经济实惠的混合（多芯片模块、2.5D、5.5D）解决方案。小间距基板的 BGA 锡球间距从 1mm 缩小到 0.4mm（甚至更小），使得基板变得更小更平价，因为小尺寸基板的价格低于大尺寸基板。置于小间距基板下方的模块基板尺寸较大（高达 200x200mm2），并且由于规格要求宽松，所以成本不像小间距基板那么昂贵。H-Cube™ 具有三大优势：经济实惠、封装尺寸大且集成灵活性高。相同封装尺寸的混合基板比单块小间距基板更加实惠。由于封装尺寸大，所以能够按照更大的系数扩展 I/O 数量或附加组件（例如，电容器、PMIC、GDDR 等）。Samsung Foundry 正在开发一款大型混合封装尺寸 (85x85mm2) 解决方案，其中的大尺寸硅中介层可以集成 6 个 HBM 模块。
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