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先进异构集成
(Advanced Heterogeneous Integration)

以新维度赋能新纪元

借助三星先进的芯片异构封装技术，元器件制造商可以轻装上阵，全力探索未来的技术突破。 三星先进的 2.5D 和 3D 封装，将芯片、工艺节点和前沿技术相互结合，开创了各种新的可能。

人工智能 (AI)、5G、自动驾驶汽车和元宇宙等技术领域的突破，必将使我们的生活发生巨大的改变。
而用单个芯片来支撑这些技术领域的突破将非常的复杂，性价比也随之降低。
三星先进异构集成 (HIT) 技术将多种芯片、工艺节点和前沿技术整合在单个封装系统中，不仅提高了芯片密度、并整合了多种强大的功能，同时也降低了成本。
在高带宽存储器 (HBM) 和先进计算技术所支持的未来，先进异构集成将赋能元器件制造商，使之能探索突破产品性能局限的新技术。
请阅读下文，详细了解三星的 I-CUBE、H-CUBE 和 X-CUBE 解决方案。

I-CUBE 2.5D 封装

2.5D封装技术通过并行水平芯片放置防止热量积存并扩展性能。
三星以硅通孔(TSV)和后道工序(BEOL)为技术基石，整合两个以上的（不同）芯片，使之完美协作，让系统发挥1+1 > 2的功能。 为现代器件的需求提供强而有力的解决方案。

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三星晶圆代工的I-CUBE S 兼具高带宽和高性能的优势，即使在大中介层下，仍具有出色的翘曲控制能力。
I-Cube S
  • I-CUBE S 兼具高带宽和高性能的优势，即使在大中介层下，仍具有出色的翘曲控制能力。它不仅具有超低存储损失和高存储密度的特点，同时还大幅改进了热效率控制能力。 此外，I-CUBE S 是一种异构技术，将一块逻辑芯片与一组高带宽存储器 (HBM) 裸片水平放置在一个硅中介层上，实现了高算力、高带宽数据传输和低延迟等特点。
三星晶圆代工的I-Cube E 技术采用硅嵌入结构，具有硅桥的精细成像优势。
I-Cube E
  • I-Cube E 技术采用硅嵌入结构，不仅具有硅桥的精细成像优势，也同时拥有PLP的技术特点：大尺寸、无无硅通孔 (TSV) 结构的RDL 中介层
三星晶圆代工的H-Cube 是一种混合基底结构，可在 I-Cube 2.5D 封装中实现较大的封装尺寸。
H-Cube
  • H-Cube 是一种混合基底结构，将精细成像的 ABF（Ajinomoto Build-up Film）基底和 HDI（高密度互连）基底技术相结合，可在 I-Cube 2.5D 封装中实现较大的封装尺寸。

X-Cube 3D IC

3D IC封装通过垂直堆叠的方式大幅地节省了芯片上的空间。

并藉由压缩芯片之间的距离来提升性能及减少整体面积。

3DIC封装技术不仅大幅降低了大芯片在结构上的风险，同时能够保持低成本、高带宽和低能耗等优势。

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三星晶圆代工的X-Cube (微凸块)采用了Z 轴堆叠逻辑裸片的方法，提高了动态键合能力。
X-Cube (微凸块)
  • X-CUBE 是先进封装技术的一个巨大飞跃，这种技术采用 在 Z 轴堆叠逻辑裸片的方法，提高了动态键合能力。 凭借这些创新，三星得以快速推广其 Chip-on-Wafer和铜混合键合技术， 通过增加每个堆栈的芯片密度，进一步提升 X-CUBE 的速度或性能。
三星晶圆代工的X-Cube（铜混合键合）与传统技术相比，铜混合键合技术具有极大的优势。
X-Cube（铜混合键合）
  • HCB（铜混合键合）：就芯片布局灵活性的观点而言，与传统的芯片堆叠技术相比，铜混合键合技术具有极大的优势。Samsung Foundry 正在开发超精细的铜混合键合技术（例如低于 4 微米的规格）。