下一代工艺开发
三星晶圆代工突破了技术限制,取得了多项世界前沿的成就,包括开发14nm FinFET、7nm EUV和3nm GAA工艺。 现在,我们已经准备好在AI时代利用超精细工艺节点、BSPDN1和共封装光学(CPO)2等下一代先进技术取得新进展。关于FinFET,4nm工艺将继续拓展其在移动设备和汽车领域的应用。 对于先进的GAA工艺,我们将超越3nm节点,开发用于HPC/AI的2nm SF2Z(BSPDN)以及用于汽车应用的SF2A。 此外,我们计划在未来通过开发1.4nm GAA工艺来加强我们在全球市场的技术领先地位。
1 BSPDN(背面供电网络):一种背面供电技术,将电流布线层置于晶圆背面,以解决电源和信号线的瓶颈问题。
2 共封装光学(CPO):一种利用光子的半导体信号传输方法,能够显著提升数据传输速率,并有效解决散热问题。