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  • 层叠内存的辉煌时刻
    层叠内存的辉煌时刻
    层叠内存的辉煌时刻

    The shining hour of stacked memory

HBM3E 12层堆叠实现高性能计算
HBM3E 12层堆叠实现高性能计算
HBM3E 12层堆叠实现高性能计算

存储技术正在进入新阶段。三星已实现12层堆叠HBM3E的大规模量产，为高带宽存储提供稳定且高效的解决方案。作为第五代HBM，HBM3E Shinebolt具备高速数据传输能力、优化的能效比以及增强的热稳定性。其适用范围覆盖高性能计算、人工智能训练与推理等关键领域，成为AI体系结构不可或缺的核心组件。 存储技术正在进入新阶段。三星已实现12层堆叠HBM3E的大规模量产，为高带宽存储提供稳定且高效的解决方案。作为第五代HBM，HBM3E Shinebolt具备高速数据传输能力、优化的能效比以及增强的热稳定性。其适用范围覆盖高性能计算、人工智能训练与推理等关键领域，成为AI体系结构不可或缺的核心组件。 存储技术正在进入新阶段。三星已实现12层堆叠HBM3E的大规模量产，为高带宽存储提供稳定且高效的解决方案。作为第五代HBM，HBM3E Shinebolt具备高速数据传输能力、优化的能效比以及增强的热稳定性。其适用范围覆盖高性能计算、人工智能训练与推理等关键领域，成为AI体系结构不可或缺的核心组件。

纵览数据的高速之道

存储器技术进入新的时代。三星HBM3E Shinebolt通过先进的12层堆叠结构，突破高性能存储的边界。
作为第五代HBM，HBM3E提供高速率的数据传输，其12层堆叠可在9.2Gbps下实现高达1,180GB/s的带宽，为高负载计算任务提供强劲支撑。
凭借良好的可扩展性，它将成为AI驱动创新的重要基石。

速处理您的数据

提升的热阻性能

HBM3E Shinebolt凭借先进的热压非导电膜（advanced TC NCF）技术，相较前代产品在热阻性能上提升了11%。
在芯片堆叠过程中会产生大量热量。为了确保高效的散热，同时维持堆叠芯片之间的强信号连接，其微凸点设计经过精心优化：在需要信号传输的区域采用小尺寸凸点，而在需要散热的区域则采用大尺寸凸点，从而实现性能与散热的平衡。 *TC NCF : Thermal Compression - Non-Conductive Film

利用增强的热阻力

以更低功耗覆盖更多需求
以更低功耗覆盖更多需求
以更低功耗覆盖更多需求

让数据中心实现全天候运行。HBM3E Shinebolt在提升性能的同时降低功耗，相较上一代产品，电源效率提升约12%。
这一进步意味着更低的能耗和数据中心运营成本的显著降低，为高性能计算提供了更具可持续性的解决方案。
让数据中心实现全天候运行。HBM3E Shinebolt在提升性能的同时降低功耗，相较上一代产品，电源效率提升约12%。
这一进步意味着更低的能耗和数据中心运营成本的显著降低，为高性能计算提供了更具可持续性的解决方案。
让数据中心实现全天候运行。HBM3E Shinebolt在提升性能的同时降低功耗，相较上一代产品，电源效率提升约12%。
这一进步意味着更低的能耗和数据中心运营成本的显著降低，为高性能计算提供了更具可持续性的解决方案。
以更少的功耗实现更多覆盖

支持更广泛的应用领域

随着人工智能的快速发展，HBM3E Shinebolt正在迅速成为各行业高性能存储的核心解决方案。
数据中心依靠它来扩展AI服务，超级计算机利用它进行大规模数据处理，它在网络基础设施中发挥关键作用，并将在未来的先进自动驾驶技术中占据重要地位。
支持更广泛的应用

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HBM3E Shinebolt的应用

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