存储技术正在进入新阶段。三星已实现12层堆叠HBM3E的大规模量产，为高带宽存储提供稳定且高效的解决方案。作为第五代HBM，HBM3E 具备高速数据传输能力、优化的能效比以及增强的热稳定性。其适用范围覆盖高性能计算、人工智能训练与推理等关键领域，成为AI体系结构不可或缺的核心组件。 存储技术正在进入新阶段。三星已实现12层堆叠HBM3E的大规模量产，为高带宽存储提供稳定且高效的解决方案。作为第五代HBM，HBM3E 具备高速数据传输能力、优化的能效比以及增强的热稳定性。其适用范围覆盖高性能计算、人工智能训练与推理等关键领域，成为AI体系结构不可或缺的核心组件。 存储技术正在进入新阶段。三星已实现12层堆叠HBM3E的大规模量产，为高带宽存储提供稳定且高效的解决方案。作为第五代HBM，HBM3E 具备高速数据传输能力、优化的能效比以及增强的热稳定性。其适用范围覆盖高性能计算、人工智能训练与推理等关键领域，成为AI体系结构不可或缺的核心组件。
存储器技术进入新的时代。三星HBM3E 通过先进的12层堆叠结构，突破高性能存储的边界。 作为第五代HBM，HBM3E提供高速率的数据传输，其12层堆叠可在9.2Gbps下实现高达1,180GB/s的带宽，为高负载计算任务提供强劲支撑。 凭借良好的可扩展性，它将成为AI驱动创新的重要基石。
HBM3E 凭借先进的热压非导电膜（advanced TC NCF）技术，相较前代产品在热阻性能上提升了11%。 在芯片堆叠过程中会产生大量热量。为了确保高效的散热，同时维持堆叠芯片之间的强信号连接，其微凸点设计经过精心优化：在需要信号传输的区域采用小尺寸凸点，而在需要散热的区域则采用大尺寸凸点，从而实现性能与散热的平衡。 *TC NCF : Thermal Compression - Non-Conductive Film
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