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  • 优质性能
    重新定义未来
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    重新定义未来

    Samsung Semiconductor DRAM DDR5.

五代双倍数据率同步动态随机存储器
带来以数据为中心的创新
五代双倍数据率同步动态随机存储器带来以数据为中心的创新
五代双倍数据率同步动态随机存储器带来以数据为中心的创新

五代双倍数据率同步动态随机存储器满足了正在经历数据巨大爆发的行业的需求。
五代双倍数据率同步动态随机存储器融合了新的速度水平、改善的容量和加强的可靠性，以提高整体系统性能。
三星的内存技术通过节能五代双倍数据率同步动态随机存储器推动了下一个环保创新时代的到来。 五代双倍数据率同步动态随机存储器满足了正在经历数据巨大爆发的行业的需求。五代双倍数据率同步动态随机存储器融合了新的速度水平、改善的容量和加强的可靠性，以提高整体系统性能。三星的内存技术通过节能五代双倍数据率同步动态随机存储器推动了下一个环保创新时代的到来。 五代双倍数据率同步动态随机存储器满足了正在经历数据巨大爆发的行业的需求。五代双倍数据率同步动态随机存储器融合了新的速度水平、改善的容量和加强的可靠性，以提高整体系统性能。三星的内存技术通过节能五代双倍数据率同步动态随机存储器推动了下一个环保创新时代的到来。

An illustrative image of Samsung DDR5 chip above The Earth.

专为大量实时数据服务的
超快速度
专为大量实时数据服务的超快速度
专为大量实时数据服务的超快速度

五代双倍数据率同步动态随机存储器具有高达 7200 百万比特/秒 (Mbps) 的卓越传输速度，有效处理对更大、更复杂数据工作量不断增长的需求。
与四代双倍数据率同步动态随机存储器 相比，五代双倍数据率同步动态随机存储器的性能提升了一倍多，
突发长度从 8 翻倍至 16，存储库数量从 16 翻倍至 32。
令人惊叹的性能提升了大数据处理的天花板，同时无缝处理 8K 内容。
五代双倍数据率同步动态随机存储器具有高达 7200 百万比特/秒 (Mbps) 的卓越传输速度，有效处理对更大、更复杂数据工作量不断增长的需求。与四代双倍数据率同步动态随机存储器 相比，五代双倍数据率同步动态随机存储器的性能提升了一倍多，突发长度从 8 翻倍至 16，存储库数量从 16 翻倍至 32。令人惊叹的性能提升了大数据处理的天花板，同时无缝处理 8K 内容。
五代双倍数据率同步动态随机存储器具有高达 7200 百万比特/秒 (Mbps) 的卓越传输速度，有效处理对更大、更复杂数据工作量不断增长的需求。与四代双倍数据率同步动态随机存储器 相比，五代双倍数据率同步动态随机存储器的性能提升了一倍多，突发长度从 8 翻倍至 16，存储库数量从 16 翻倍至 32。令人惊叹的性能提升了大数据处理的天花板，同时无缝处理 8K 内容。
An illustrative image of DDR5 with higher performance transfer speeds of up to 7,200 Mbps.

4倍容量，助力行业创新
4倍容量，助力行业创新
4倍容量，
助力行业创新

三星已采用12纳米级工艺技术、硅通孔(TSV)和极紫外光刻(EUV)技术，开发出目前三星最大的1TB容量DDR5内存模组。
4倍容量，助力用户流畅处理同时发生的多个繁重工作负载，并具备未来创新可扩展性。
三星已采用12纳米级工艺技术、硅通孔(TSV)和极紫外光刻(EUV)技术，开发出目前三星最大的1TB容量DDR5内存模组。
4倍容量，助力用户流畅处理同时发生的多个繁重工作负载，并具备未来创新可扩展性。
三星已采用12纳米级工艺技术、硅通孔(TSV)和极紫外光刻(EUV)技术，开发出目前三星最大的1TB容量DDR5内存模组。
4倍容量，助力用户流畅处理同时发生的多个繁重工作负载，并具备未来创新可扩展性。
三星DDR5芯片和数据中心中各种应用程序图像的浮动图像，字体为“高达512GB，容量为双倍“。

具备自纠错解决方案的
强大可靠性
具备自纠错解决方案的强大可靠性
具备自纠错解决方案的强大可靠性

应用于 五代双倍数据率同步动态随机存储器 的 ODECC（片上纠错码）技术帮助保持安全稳定的数据可靠性，以完全利用强大的性能。
ODECC 几乎消除了单比特错误，从而提高了可靠性，即使在大数据的繁重需求下也是如此。
应用于 五代双倍数据率同步动态随机存储器 的 ODECC（片上纠错码）技术帮助保持安全稳定的数据可靠性，以完全利用强大的性能。ODECC 几乎消除了单比特错误，从而提高了可靠性，即使在大数据的繁重需求下也是如此。
应用于 五代双倍数据率同步动态随机存储器 的 ODECC（片上纠错码）技术帮助保持安全稳定的数据可靠性，以完全利用强大的性能。ODECC 几乎消除了单比特错误，从而提高了可靠性，即使在大数据的繁重需求下也是如此。
An image of Samsung DDR5 chips are crossed against an image of 'Non ODECC, ODECC' typography written on graphic symbolized the data.

让地球可持续发展的
节能选择
让地球可持续发展的节能选择
让地球可持续发展的节能选择

通过提高性能和降低功耗，五代双倍数据率同步动态随机存储器的节能性比四代双倍数据率同步动态随机存储器提升 20%。
将数据中心的四代双倍数据率同步动态随机存储器 替换为 五代双倍数据率同步动态随机存储器，每年可节省多达1 亿千瓦时 (TWh) 的电力。
该双列内存直插式模块 (DIMM) 电源管理集成电路 (PMIC) 进一步提高了电源管理效率和供电稳定性。这是我们环境全面可持续的选择。
通过提高性能和降低功耗，五代双倍数据率同步动态随机存储器的节能性比四代双倍数据率同步动态随机存储器提升 20%。将数据中心的四代双倍数据率同步动态随机存储器 替换为 五代双倍数据率同步动态随机存储器，每年可节省多达1 亿千瓦时 (TWh) 的电力。该双列内存直插式模块 (DIMM) 电源管理集成电路 (PMIC) 进一步提高了电源管理效率和供电稳定性。这是我们环境全面可持续的选择。
通过提高性能和降低功耗，五代双倍数据率同步动态随机存储器的节能性比四代双倍数据率同步动态随机存储器提升 20%。将数据中心的四代双倍数据率同步动态随机存储器 替换为 五代双倍数据率同步动态随机存储器，每年可节省多达1 亿千瓦时 (TWh) 的电力。该双列内存直插式模块 (DIMM) 电源管理集成电路 (PMIC) 进一步提高了电源管理效率和供电稳定性。这是我们环境全面可持续的选择。
An illustrative image of 'up to Power efficiency 20%' typography against an image of trees, mountain in the earth.

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三星保留对产品图片和规格随时进行更改的权利，恕不另行通知

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常见问题解答

  • 与 DDR4 相比，DDR5 RAM 具有更高的基准速度，支持更大容量的 DIMM 模组（也称为为 RAM 内存条），相同性能规格下的功耗也更低。目前，DDR4 的标准默认时钟频率为 2133MHz，而 DDR5 的默认时钟频率为 4800MHz。要运行比上述速度更快的 RAM，您可能需要在PC的BIOS中启用XMP配置文件(如果还没有启用的话)，但无论如何，DDR4 都不能达到 DDR5 所具备的高速度。
  • 主板只能支持一种存储器技术：DDR3、DDR4 或 DDR5。要使用 DDR5 RAM，您的主板必须要具有 DDR5 RAM 插槽。因此可以说，DDR5 RAM 和 DDR4 插槽的主板不能兼容。两者不兼容的原因有很多。