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  • 性能卓越，
    适用于众多解决方案
    性能卓越，
    适用于众多解决方案
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    Front and back view of Samsung DDR4.
速度超快、可靠性高、能耗低
速度超快、可靠性高、能耗低
速度超快、可靠性高、能耗低

高性能存储器可为更快速、更强大的解决方案提供支持。
凭借更宽的带宽、更高的可靠性和更低的能耗，三星 DDR4 可带来出色体验。 高性能存储器可为更快速、更强大的解决方案提供支持。凭借更宽的带宽、更高的可靠性和更低的能耗，三星 DDR4 可带来出色体验。 高性能存储器可为更快速、更强大的解决方案提供支持。凭借更宽的带宽、更高的可靠性和更低的能耗，三星 DDR4 可带来出色体验。

性能大幅提升
性能大幅提升
性能大幅提升

带宽显著提升，最高可达 3,200 Mbps
带宽显著提升，最高可达 3,200 Mbps
带宽显著提升，最高可达 3,200 Mbps
DDR4 能够以出色的速度传输更多数据，它提供 4 个储库组（共 16 个储库）以降低交错延迟，另外还具有 3,200 Mbps 带宽和 1TB/s 系统内存，因此可以更快速地轻松处理大量工作负载*。

*使用 DDR4 和 DDR3 进行内部测试
DDR4 能够以出色的速度传输更多数据，它提供 4 个储库组（共 16 个储库）以降低交错延迟，另外还具有 3,200 Mbps 带宽和 1TB/s 系统内存，因此可以更快速地轻松处理大量工作负载*。

*使用 DDR4 和 DDR3 进行内部测试
DDR4 能够以出色的速度传输更多数据，它提供 4 个储库组（共 16 个储库）以降低交错延迟，另外还具有 3,200 Mbps 带宽和 1TB/s 系统内存，因此可以更快速地轻松处理大量工作负载*。

*使用 DDR4 和 DDR3 进行内部测试
Infographic describing increased bandwidth of DDR4 when compared to DDR3; the bandwidth of DDR4 has been increased 2X, DDR3 - 1600Mbps, DDR4 - 3200Mbps

低能耗，
高能效
低能耗，高能效
低能耗，高能效

先进工艺技术
减少内核及通电/断电次数
先进工艺技术减少内核及通电/断电次数
先进工艺技术减少内核及通电/断电次数
凭借三星业界先进的 1x 纳米制程技术，DDR4 可在提高性能、降低总体拥有成本的同时减少能耗。 1.2V 低操作电压和伪漏极开路 (POD) 接口可实现更低的功耗，其能耗降低了 25%*。

*使用 DDR4 和 DDR3 进行内部测试
凭借三星业界先进的 1x 纳米制程技术，DDR4 可在提高性能、降低总体拥有成本的同时减少能耗。 1.2V 低操作电压和伪漏极开路 (POD) 接口可实现更低的功耗，其能耗降低了 25%*。

*使用 DDR4 和 DDR3 进行内部测试
凭借三星业界先进的 1x 纳米制程技术，DDR4 可在提高性能、降低总体拥有成本的同时减少能耗。 1.2V 低操作电压和伪漏极开路 (POD) 接口可实现更低的功耗，其能耗降低了 25%*。

*使用 DDR4 和 DDR3 进行内部测试
描述功耗降低25%的信息图

可靠性显著提升
可靠性显著提升
可靠性显著提升

安全的 CRC 传输
利用奇偶校验位来防止出错
安全的 CRC 传输利用奇偶校验位来防止出错
安全的 CRC 传输利用奇偶校验位来防止出错
随着数据中心要处理的流量越来越多，系统可靠性也变得越来越重要。三星 DDR4 的先进功能可确保卓越的数据传输，例如， 写入循环冗余校验 (Write CRC) 可帮助识别多位故障，而针对命令 (CMD)/地址 (ADD) 通路的奇偶校验检查则可防止系统发生故障。
随着数据中心要处理的流量越来越多，系统可靠性也变得越来越重要。三星 DDR4 的先进功能可确保卓越的数据传输，例如， 写入循环冗余校验 (Write CRC) 可帮助识别多位故障，而针对命令 (CMD)/地址 (ADD) 通路的奇偶校验检查则可防止系统发生故障。
随着数据中心要处理的流量越来越多，系统可靠性也变得越来越重要。三星 DDR4 的先进功能可确保卓越的数据传输，例如， 写入循环冗余校验 (Write CRC) 可帮助识别多位故障，而针对命令 (CMD)/地址 (ADD) 通路的奇偶校验检查则可防止系统发生故障。
描述高可靠性的信息图，包括写CRC和CMD/ADD奇偶校验

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所有产品规格均基于内部测试结果，可能因用户系统配置不同而有所差异

呈现的所有产品图片仅用于展示目的，与实际产品不一定完全一致

三星保留对产品图片和规格随时进行更改的权利，恕不另行通知

如需了解有关产品规格的更多详细信息，请联系您所在地区的销售代表。

常见问题解答

  • DDR4 是一种设计为比 DDR3 更好、更快、更可靠的替代存储器标准。DDR4 模组 (DIMM) 在外形上与 DDR3 DIMM 极为相似。不同的是，DDR4 具有 288 个引脚，而 DDR3 只有 240 个引脚；DDR4 SO-DIMM 具有 260 个引脚，而 DDR3 只有 204 个。DDR4 的卡入槽口位于不同的位置，边缘连接器类似于轻微弯曲的“V”以方便插入。由于采用这种设计，插入时需要的力度更小，因为在插入模组过程中并非所有的引脚都需要同时啮合。DDR4 模组的能效更高，工作电压仅为 1.2V，而 DDR3 的工作电压为 1.5V 或 1.35V。由于耗电量更低，因此可以节省大量的电力，无需更高的电力和冷却要求即可更加高速地运行。DIMM 密度以 2 GB 起步，可以高达 128 GB，相比 DDR3 只有 512 MB 至 32 GB 的容量实现了巨大飞跃。适用于嵌入式和工业应用的新型 DDR4 模组可实现高达 3200 MT/s 的高速数据传输。例如，DDR4-3200（ATP 公司的新型工业级 DDR4 ）的传输速率比 DDR3-1866（当前较快的 DDR3 版本之一）快 70% 左右，实现了理论峰值性能的巨大提升。
  • DDR3 和 DDR4 互不兼容。两者的物理插槽不同，此外输入电压、引脚数量等参数也不相同。
  • 实际上，DDR3 几乎兼容所有主板及其插槽，但 DDR4 仅兼容使用英特尔 X99 芯片组和 LGA 2011 处理器插槽的主板。

DDR4的应用