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一组历史照片拼贴画，记录了三星半导体发展历程中的重要里程碑和时刻。
创新之旅永不止步 创新之旅永不止步

创新之旅永不止步

从初创入局到走向世界半导体之峰，
我们的足迹是挑战与革新的历史写照。 从初创入局到走向世界半导体之峰，
我们的足迹是挑战与革新的历史写照。 从初创入局到走向世界半导体之峰，
我们的足迹是挑战与革新的历史写照。

突破极限，改变未来 2010-最近

我们不断突破极限，推动行业变革，现已蓄势待发，准备实现下一次的飞跃。
  • 成功研发12层堆叠36GB HBM3E
  • 成功研发24Gb GDDR7 DRAM
  • 开启第九代V-NAND产品量产
  • 在韩国华城开设高性能计算中心
三星氢弹312小时内存芯片的前后视图。
  • 完成半导体碳排放生命周期评估(LCA)验证
  • 获得水资源管理联盟(AWS)白金认证
  • 开启12纳米级DRAM量产
  • 2亿像素图像传感器ISOCELL HP2面世
  • 成功研发12纳米级32Gb DDR5
一个采用色彩斑斓的蒙德里安风格设计的三星半导体设施，前景中有一个景观池塘。
  • 下一代半导体研究所（R&D）破土动工
  • 2亿像素图像传感器ISOCELL HP3面世
  • 开启3纳米制程代工产品量产
  • 开始量产第八代236层V-NAND
  • 研发12纳米级16Gb DDR5
三位穿着洁净室西装的工程师在明亮的三星制造设施内手持半导体晶圆。
  • 成功研发人工智能(AI)存储半导体
  • 全球工厂均获得碳、水和废物减排认证
  • 2亿像素图像传感器ISOCELL HP1面世
  • 开启14纳米DRAM的商业化进程
  • 研发LPDDR5X
  • 开始量产下一代车载高性能内存半导体解决方案
三星等值电池惠普1图像传感器的渲染图像，具有渐变表面和下方的粗体产品名称。
  • 平泽二号生产线开始投入生产
  • 成功研发三星全球首个3纳米级超微制程工艺技术
  • 在韩国华城启动极紫外光刻(EUV)V1生产线
  • 将极紫外光刻(EUV)工艺应用于DRAM生产
  • 将3D堆叠技术应用于极紫外光刻(EUV)系统半导体
大型三星半导体设施的外部视图，配有色彩斑斓的几何墙饰和清澈的蓝天。
  • 1TB容量嵌入式通用闪存(eUFS)量产
  • 研发第三代10纳米级DRAM
  • 成功研发6400万像素移动图像传感器
  • 量产第6代V-NAND SSD
  • 研发12 层三维硅通孔(3D TSV)封装技术
三星可拆卸4 1纳米内存芯片的前后视图
  • 在韩国华城动工建设极紫外光刻(EUV)生产线
  • 在中国西安建立第二条内存生产线
  • 第5代V-NAND量产
  • 成功研发8Gb LPDDR5内存
  • 成功研发5G调制解调器Exynos Modem 5100
  • 车载解决方案品牌 Exynos Auto(车载处理器)与ISOCELL Auto(车载图像传感器)面世
  • 开始量产基于极紫外光刻(EUV)的7纳米LPP工艺
白色背景上倾斜的三星 LPDDR5 内存芯片
  • 韩国平泽工厂开始投入生产
  • 成立晶圆代工业务部门
  • 第二代10纳米鳍式场效应晶体管技术量产
正在建设中的三星半导体设施，配备了色彩斑斓的蒙德里安风格面板和多台起重机。
  • 10纳米鳍式场效应晶体管系统级芯片(SoC)量产
  • 10纳米级DRAM量产
两个三星 DDR4 内存模块、一个 DIMM 和一个 SO-DIMM
  • 第17号生产线开始投入生产
  • 14纳米鳍式场效应晶体管移动应用处理器(AP)开始量产
三星半导体晶圆厂内部视图，展示了用于晶圆处理的自动化架空运输系统。
  • 20纳米级8Gb移动DRAM(LPDDR4)开始量产
  • 中国西安工厂(SCS)开始投入生产
三星大型半导体制造设施被工业基础设施环绕的航拍视图。
  • 3D垂直NAND(V-NAND)存储器开始量产
  • 推出移动 AP Exynos 5 Octa，内置big.LITTLE™ 处理器架构
经典点对点半导体芯片的高分辨率照片
  • 30纳米级4Gb移动DRAM量产
  • 推出品牌应用处理器Exynos
三星艾克西诺斯处理器的标志采用现代蓝绿渐变设计
  • 32纳米高介电金属闸极(HKMG: High-K Metal Gate)工艺研发成功
  • 20纳米级NAND闪存量产
一张半导体硅晶圆的特写图像，其表面刻有一张微芯片网格。

稳步扩大技术领先优势2000-2009

实现重大技术突破，奠定全球领先地位。
  • 40纳米级2Gb DRAM开始量产
前面堆放着较小的随机存取内存芯片的两个三星去军事化内存模块。
  • 美国奥斯汀工厂2号线开始投入生产（SAS）
三星奥斯汀半导体工厂2于2007年6月14日盛大开幕的剪彩仪式。
  • 成功研发16芯多芯片封装(MCP)
  • 推出32GB固态硬盘
两颗三星半导体芯片被放置在一个反射性的橙色硅片上。
  • 成功研发DDR3 SDRAM
一款复古陶瓷迪普芯片与两款现代三星内存集成电路的比较
  • 成功研发60纳米级8Gb NAND闪存
放置在绿叶上的三星半导体芯片
  • 实现闪存市场份额第一
一款三星4吉字节紧凑型闪存卡，紧挨着美式可读卡器
  • 实现LCD驱动芯片市场份额第一
  • 成功研发90纳米级2Gb NAND闪存
两颗三星半导体芯片被放置在一个图案化的橙色硅片上。
  • 创建华城园区
农村地区建筑工地的航拍视图

站在科技舞台的中心1990-1999

首款64Mb DRAM的面世，翻开创新篇章。
  • 开始出货128Mb闪存
  • 美国奥斯汀工厂 (SAS)开始投入生产
正在建设中的大型半导体设施的航拍视图，现场有起重机和重型机械。
  • 成立系统LSI事业部
1997年2月6日，三星员工为系统级芯片部门成立举行的庆祝活动。
  • 成功研发1Gb DRAM
一套展示在彩色硅片上的三星1吉德拉姆芯片
  • 成功研发256Mb DRAM
三星2.56亿特殊鼓芯片和陶瓷浸渍包展示在色彩斑斓的硅晶圆上
  • 业界最早启动200mm生产线(5号线)
  • 实现全球存储器市场份额第一
三星8英寸晶圆厂启动纪念活动，员工排成一行，头顶上挂着横幅。
  • 业界最早研发64Mb DRAM
  • 实现全球DRAM市场份额第一
三星半导体芯片显示在经过处理的硅晶圆上，具有可见的电路图案和模具布局。

历史画卷，自此展开1980-1989

通过战略投资与布局，
奠定创新基石。
  • 研发4Mb DRAM
四块三星金陶瓷内存芯片被放置在一个带有可见模具图案的反光硅晶圆上。
  • 研发1Mb DRAM
三颗三星迪普内存芯片被放置在一个带有蚀刻半导体晶圆网格的反光硅晶圆上。
  • 韩国器兴1号生产线投入运行
  • 研发256Kb DRAM
三星 64K DRAM 和 KM41256 内存芯片采用金色陶瓷封装，旁边是带图案的硅晶片。
  • 启动超大规模集成电路(VLSI)业务
  • 成功研发64Kb DRAM
  • 创建器兴园区
三颗三星内存芯片，包括一个金陶瓷迪普芯片，排列在加工过的晶圆上。

播撒创新之种1974-1979

行动一小步，创新一大步。
  • LED手表用芯片(IC)开始量产
工人正在无尘室般的环境中用显微镜检查半导体组件的档案照片。
  • 三星收购韩泰半导体
早期三星半导体设施的历史照片，背景是乡村的山地。