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第 1 集
三星SSD技术的核心—“NAND闪存” 三星SSD技术的核心—“NAND闪存” 三星SSD技术的核心—“NAND闪存”

智能设备的全球普及和云端娱乐的兴起推动了数字媒体消费的激增。 特别是在疫情后，随着室内活动的增加，数据使用量持续增长，这凸显了具备更快数据传输速度和可靠数据管理的存储解决方案的重要性。

 

从历史上看，硬盘驱动器（HDD）通过磁性记录数据在旋转磁盘上，曾是计算机的主要存储选择。 然而，在2006年，三星电子推出了全球首款配备固态硬盘（SSD）的笔记本电脑，相比传统HDD，SSD提供了显著更高的速度、更强的耐用性和更低的功耗，大幅提升了计算机的性能。 这一举措成为SSD商业化的关键转折点，并极大推动了其技术进步和广泛普及，使SSD成为消费者和企业的标准存储解决方案。 

 

在本系列中，我们将探讨三星在B2B市场的优势是如何延展到其在SSD领域的创新，并推动消费者广泛采用，并塑造数字存储解决方案的未来。

智能设备的全球普及和云端娱乐的兴起推动了数字媒体消费的激增。 特别是在疫情后，随着室内活动的增加，数据使用量持续增长，这凸显了具备更快数据传输速度和可靠数据管理的存储解决方案的重要性。

 

从历史上看，硬盘驱动器（HDD）通过磁性记录数据在旋转磁盘上，曾是计算机的主要存储选择。 然而，在2006年，三星电子推出了全球首款配备固态硬盘（SSD）的笔记本电脑，相比传统HDD，SSD提供了显著更高的速度、更强的耐用性和更低的功耗，大幅提升了计算机的性能。 这一举措成为SSD商业化的关键转折点，并极大推动了其技术进步和广泛普及，使SSD成为消费者和企业的标准存储解决方案。 

 

在本系列中，我们将探讨三星在B2B市场的优势是如何延展到其在SSD领域的创新，并推动消费者广泛采用，并塑造数字存储解决方案的未来。

智能设备的全球普及和云端娱乐的兴起推动了数字媒体消费的激增。 特别是在疫情后，随着室内活动的增加，数据使用量持续增长，这凸显了具备更快数据传输速度和可靠数据管理的存储解决方案的重要性。

 

从历史上看，硬盘驱动器（HDD）通过磁性记录数据在旋转磁盘上，曾是计算机的主要存储选择。 然而，在2006年，三星电子推出了全球首款配备固态硬盘（SSD）的笔记本电脑，相比传统HDD，SSD提供了显著更高的速度、更强的耐用性和更低的功耗，大幅提升了计算机的性能。 这一举措成为SSD商业化的关键转折点，并极大推动了其技术进步和广泛普及，使SSD成为消费者和企业的标准存储解决方案。 

 

在本系列中，我们将探讨三星在B2B市场的优势是如何延展到其在SSD领域的创新，并推动消费者广泛采用，并塑造数字存储解决方案的未来。

各种技术和存储应用的拼贴画，展示游戏、摄影、视频编辑和无人机操作中使用的三星固态硬盘、microSD 卡和外置硬盘。

SSD通过NAND闪存存储数据，这是一种基于半导体的非易失性存储介质。 三星在全球SSD市场的前沿地位源于持续创新，不断提升SSD核心技术——NAND闪存的性能和容量。 三星在NAND闪存领域的发展历程中创造了众多全球第一的成就。 

SSD通过NAND闪存存储数据，这是一种基于半导体的非易失性存储介质。 三星在全球SSD市场的前沿地位源于持续创新，不断提升SSD核心技术——NAND闪存的性能和容量。 三星在NAND闪存领域的发展历程中创造了众多全球第一的成就。 

SSD通过NAND闪存存储数据，这是一种基于半导体的非易失性存储介质。 三星在全球SSD市场的前沿地位源于持续创新，不断提升SSD核心技术——NAND闪存的性能和容量。 三星在NAND闪存领域的发展历程中创造了众多全球第一的成就。 

信息图表时间轴展示了从 1984 年到 2024 年三星在 NAND 闪存开发方面的里程碑。
闪存的早期发展 闪存的早期发展 闪存的早期发展

闪存的早期发展 1984年，三星电子成功研发了韩国首款16Kb EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）。这种半导体存储器可通过电信号写入和擦除数据，并广泛应用于各种电子设备。  尽管闪存技术因高开发成本和有限的市场需求而面临可持续性方面的担忧，三星仍坚定地相信其潜力，并持续投入研发。 

闪存的早期发展 1984年，三星电子成功研发了韩国首款16Kb EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）。这种半导体存储器可通过电信号写入和擦除数据，并广泛应用于各种电子设备。  尽管闪存技术因高开发成本和有限的市场需求而面临可持续性方面的担忧，三星仍坚定地相信其潜力，并持续投入研发。 

闪存的早期发展 1984年，三星电子成功研发了韩国首款16Kb EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）。这种半导体存储器可通过电信号写入和擦除数据，并广泛应用于各种电子设备。  尽管闪存技术因高开发成本和有限的市场需求而面临可持续性方面的担忧，三星仍坚定地相信其潜力，并持续投入研发。 

早期 EEPROM 芯片的特写，采用金色和黑色设计，有多个引脚。
三星公司开发的全球首款 1Gb NAND 闪存芯片特写。
全球首款 1Gb NAND 闪存和行业前沿地位 全球首款 1Gb NAND 闪存和行业前沿地位 全球首款 1Gb NAND 闪存和行业前沿地位

 1993年，三星研发了全球第二款16Mb NAND闪存，并于1999年推出了全球首款1Gb闪存。

到2002年，三星量产了全球首款1Gb NAND闪存，并以12亿美元的销售额稳居全球NAND闪存市场份额第一。

 

创新持续推进，三星于2004年研发了全球首款60纳米8Gb NAND闪存，并于2006年推出了40纳米32Gb NAND闪存，实现了容量的年度翻倍增长。 

 

这些技术进步成为推动USB存储盘、数码相机、MP3播放器、摄像机和PDA等移动及数字设备发展的重要驱动力。 自2002年以来，三星始终保持全球NAND闪存市场份额第一。  

 1993年，三星研发了全球第二款16Mb NAND闪存，并于1999年推出了全球首款1Gb闪存。 到2002年，三星量产了全球首款1Gb NAND闪存，并以12亿美元的销售额稳居全球NAND闪存市场份额第一。

 

创新持续推进，三星于2004年研发了全球首款60纳米8Gb NAND闪存，并于2006年推出了40纳米32Gb NAND闪存，实现了容量的年度翻倍增长。 

 

这些技术进步成为推动USB存储盘、数码相机、MP3播放器、摄像机和PDA等移动及数字设备发展的重要驱动力。 自2002年以来，三星始终保持全球NAND闪存市场份额第一。  

 1993年，三星研发了全球第二款16Mb NAND闪存，并于1999年推出了全球首款1Gb闪存。 到2002年，三星量产了全球首款1Gb NAND闪存，并以12亿美元的销售额稳居全球NAND闪存市场份额第一。

 

创新持续推进，三星于2004年研发了全球首款60纳米8Gb NAND闪存，并于2006年推出了40纳米32Gb NAND闪存，实现了容量的年度翻倍增长。 

 

这些技术进步成为推动USB存储盘、数码相机、MP3播放器、摄像机和PDA等移动及数字设备发展的重要驱动力。 自2002年以来，三星始终保持全球NAND闪存市场份额第一。

标有 “2003 年以来世界第一闪存 ”的徽章
以 “垂直结构 ”创新 NAND 闪存 以 “垂直结构 ”创新 NAND 闪存 以 “垂直结构 ”创新 NAND 闪存

采用“垂直结构”的NAND闪存创新 自NAND闪存商业化以来，业界持续推动半导体微缩技术，以提升数据密度并降低功耗。 然而，随着元件尺寸的缩小，内部电信干扰问题日益严重，最终导致信息处理速度放缓。 为解决这一挑战，三星电子改变了技术路径，将存储单元由单层平面排列改为垂直堆叠。

 

2013年，三星量产了全球首款3D垂直NAND（V-NAND）闪存，引领了行业重大创新。 这种设计将存储单元像摩天大楼的楼层一样堆叠，实现了显著的技术突破，包括更快的速度、更低的功耗以及更高的单元耐用性。 

采用“垂直结构”的NAND闪存创新 自NAND闪存商业化以来，业界持续推动半导体微缩技术，以提升数据密度并降低功耗。 然而，随着元件尺寸的缩小，内部电信干扰问题日益严重，最终导致信息处理速度放缓。 为解决这一挑战，三星电子改变了技术路径，将存储单元由单层平面排列改为垂直堆叠。

 

2013年，三星量产了全球首款3D垂直NAND（V-NAND）闪存，引领了行业重大创新。 这种设计将存储单元像摩天大楼的楼层一样堆叠，实现了显著的技术突破，包括更快的速度、更低的功耗以及更高的单元耐用性。 

采用“垂直结构”的NAND闪存创新 自NAND闪存商业化以来，业界持续推动半导体微缩技术，以提升数据密度并降低功耗。 然而，随着元件尺寸的缩小，内部电信干扰问题日益严重，最终导致信息处理速度放缓。 为解决这一挑战，三星电子改变了技术路径，将存储单元由单层平面排列改为垂直堆叠。

 

2013年，三星量产了全球首款3D垂直NAND（V-NAND）闪存，引领了行业重大创新。 这种设计将存储单元像摩天大楼的楼层一样堆叠，实现了显著的技术突破，包括更快的速度、更低的功耗以及更高的单元耐用性。 

三星量产的全球首款第一代 123Gb V-NAND 特写。

这一突破克服了平面设计中芯片密度的限制，为千兆字节（GB）乃至太字节（TB）级存储时代铺平了道路，使三维V-NAND技术成为存储行业的里程碑式创新。 三星电子的V-NAND技术始于2013年的第一代，并在2022年发展至第八代。 预计在2024年下半年，第九代V-NAND将实现量产，单颗芯片上的存储单元将超过1万亿比特，存储密度相比上一代提升1.5倍。

这一突破克服了平面设计中芯片密度的限制，为千兆字节（GB）乃至太字节（TB）级存储时代铺平了道路，使三维V-NAND技术成为存储行业的里程碑式创新。 三星电子的V-NAND技术始于2013年的第一代，并在2022年发展至第八代。 预计在2024年下半年，第九代V-NAND将实现量产，单颗芯片上的存储单元将超过1万亿比特，存储密度相比上一代提升1.5倍。

这一突破克服了平面设计中芯片密度的限制，为千兆字节（GB）乃至太字节（TB）级存储时代铺平了道路，使三维V-NAND技术成为存储行业的里程碑式创新。 三星电子的V-NAND技术始于2013年的第一代，并在2022年发展至第八代。 预计在2024年下半年，第九代V-NAND将实现量产，单颗芯片上的存储单元将超过1万亿比特，存储密度相比上一代提升1.5倍。

信息图表说明了从水平 NAND 闪存结构到 3D 垂直 NAND 闪存结构的转变，强调了存储密度的提高和干扰的减少。

在下一集，我们将探讨NAND闪存技术的进步如何奠定了SSD的发展基础，使其从数码相机、MP3播放器和USB存储盘等设备的内部组件，演变为多功能消费级产品，革新日常数字存储解决方案。

在下一集，我们将探讨NAND闪存技术的进步如何奠定了SSD的发展基础，使其从数码相机、MP3播放器和USB存储盘等设备的内部组件，演变为多功能消费级产品，革新日常数字存储解决方案。

在下一集，我们将探讨NAND闪存技术的进步如何奠定了SSD的发展基础，使其从数码相机、MP3播放器和USB存储盘等设备的内部组件，演变为多功能消费级产品，革新日常数字存储解决方案。

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